罗姆与台达联手开发第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件

日期:2022-04-27 来源:半导体产业网阅读:270
核心提示:4月27日,罗姆和台达电子共同宣布,就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。
4月27日,罗姆和台达电子共同宣布,就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。
 
罗姆指出,双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术,联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。
 
据了解,今年3月,罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系,并将该系列产品命名为“EcoGaN?”,产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用。今后,罗姆将继续扩大“EcoGaN?”的产品阵容,并致力于进一步提高产品性能。 
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