1月14日，纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布于上海开设新的电动汽车设计中心，用以开展氮化镓功率芯片业务。设计中心将为全功能、可产品化的电动汽车动力系统开发原理图、布局和固件。
与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器(OBC)的充电速度快3倍，节能高达70%。氮化镓OBC、DC-DC转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程，或将电池成本降低5%。与使用硅芯片相比，氮化镓功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年来到。到2050年，将电动汽车升级到使用GaN之后，道路部门的二氧化碳排放量每年有望减少20%。
制造氮化镓功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考虑到效率以及材料尺寸和重量优势，每个出货的纳微氮化镓功率芯片相比硅可以节省大约 4 公斤的二氧化碳。总体而言，到 2050 年GaN 有望解决每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量减少问题。
纳微半导体上海设计中心新任高级总监孙浩先生表示：“ Navitas将与 OBC、DC-DC 和牵引系统公司合作，创建具有最高功率密度和最高效率的创新世界级解决方案，以推动 GaN 进入主流电动汽车。”
纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰表示：“对于 GaN 来说，电动汽车是一个令人兴奋的扩展市场，估计每辆 EV 内，氮化镓的潜在价值为 250 美元。”
