和芯微发布国内首套2.4G&5G高功率WiFi6 FEM

日期:2021-10-20 来源:和芯微电子阅读:287
核心提示:四川和芯微电子股份有限公司举办了一场线上产品发布会,以“Cenchip”品牌发布了五款射频芯片,包括国内首套2.4G&5G高功率WiFi6 FEM芯片,一款5G高功率WiFi5 FEM芯片和两款高功率WiFi PA芯片,具有“高频频段”、“高线性输出功率”和“高端进口产品管脚兼容替代”三大亮点。
10月18日,四川和芯微电子股份有限公司举办了一场线上产品发布会,以“Cenchip”品牌发布了五款射频芯片,包括国内首套2.4G&5G高功率WiFi6 FEM芯片,一款5G高功率WiFi5 FEM芯片和两款高功率WiFi PA芯片,具有“高频频段”、“高线性输出功率”和“高端进口产品管脚兼容替代”三大亮点。
 
高频频段,是指WiFi6(包含WiFi6E)的工作频段是5~7GHz,远高于4G/5G手机的2~4GHz工作频段,芯片设计难度非常大。
 
高线性输出功率,是指WiFi6的线性输出功率是在-43dB DEVM条件下测得的,相比之下,WiFi5线性输出功率是在-35dB DEVM条件下测得的,WiFi6的功放线性度指标要求高了很多;再考虑到WiFi6的最高带宽是160MHz,是WiFi5最高带宽80MHz的两倍,传统的WiFi5功放在WiFi6最高带宽时进行测试,输出线性功率往往不到原来的四分之一,WiFi6射频芯片的设计难度大幅提升。
 
高端进口产品管脚兼容替代,本次发布的芯片主要对标美国Skyworks和Qorvo高功率WiFi6射频FEM芯片,封装尺寸为3x5mm QFN24。
 
无线通信系统都是由射频前端和基带处理两个主要功能构成,基带处理芯片一般是用CMOS工艺进行制造,射频前端在功率比较小的时候可以集成在基带芯片内部,这些集成了射频功放的基带芯片广泛用在IOT通讯设备等。
 
对于很多高线性度高功率要求的无线通讯芯片,主要是用GaAs (砷化镓)工艺进行制造,因为砷化镓材料的电子迁移速率是硅材料的210倍,从物理性质上决定了砷化镓工艺的高频性能远超硅工艺。美国三大巨头Skyworks、Qorvo和Broadcom占据了全球独立PA市场93%的市场份额。
 
和芯微电子是国内首家专注于高功率WiFi射频芯片研发的公司,现在已经开发了全系列3x5mm尺寸的WiFi6 2.4G&5G和WiFi5 5G的射频FEM芯片,WiFi6E的产品也在研发当中,同时开始布局WiFi7的产品研发。
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