三星2022年量产3纳米,2纳米2025年推出

日期:2021-10-08     来源:科技新报    
核心提示:三星日前宣布3纳米制程将自2022年量产,更先进的2纳米制程于2025年量产。三星3纳米制程比原定2021年投产时间延后约一年。
据外媒报道,三星日前宣布3纳米制程将自2022年量产,更先进的2纳米制程于2025年量产。三星3纳米制程比原定2021年投产时间延后约一年。
 
三星原本计划今年开始3纳米制程生产处理速度更快、能效更高的芯片,但6日三星在“Samsung Foundry Forum”表示,转移到全新制造技术的难度很高,3纳米制程将在2022上半年推出。代表三星客户将到2022年才能使用最先进技术。已知三星晶圆代工客户包括手机芯片厂商高通、服务器处理器设计厂商IBM、GPU大厂英伟达及三星自家芯片产品。
 
虽然3纳米制程延后,但三星强调,更先进的2纳米制程技术将如期在2025年推出,并2026年开始大量生产产品。三星表示,2纳米制程技术将使芯片性能、能效及电子产品小型化继续迈进,这也是三星第一次谈到2纳米制程的量产时程。
 
相较三星延后推出3纳米制程,晶圆代工龙头台积电也传出可能延迟的消息。台积电没有回应,仅表示一切依时程进行。台积电与三星传出3纳米制程延迟推出,外界评估可让处理器龙头英特尔较缓解压力。英特尔2021年宣布重返晶圆代工市场,将与台积电、三星两家厂商竞争,对手传出延后推出先进制程,对时程相对落后的英特尔显然是好消息。
 
外电报道强调,随着个人电脑销量成长,加上智能手机增加,以及资料中心线上服务量不断提升,市场对芯片的需求超过产能。三星代工事业部高层表示,“芯片短缺问题要到2022年才会缓解。尽管三星继续投资,其他代工厂商也在增加产能,但我们看来供需不平衡会再持续6~9个月。”
 
发展新一代制程技术方面,因进展到新一代芯片制造技术的过程非常复杂,单芯片由数十亿个比尘埃还小的电晶体组成,晶圆代工厂需在硅晶圆上蚀刻电路图,需要数十个甚至上百个步骤、耗时数月完成。三星强调,芯片制造技术进步将使电晶体缩小,就能把更多晶体管压缩到一个芯片,提高处理速度并降低功耗,这也是三星3纳米制程用新一代全环绕栅极(GAA)制程的原因。
 
三星强调,与5纳米制程相较,三星首个3纳米GAA制程技术将允许芯片面积减少35%,性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积(PPA)改进,随着制程技术成熟,3纳米良率正在接近4纳米制程。三星预计2022年推出第一代3纳米3GAE制程技术,2023年推出更新一代的3纳米3GAP制程技术,2025年以2纳米2GAP制程技术投产。
 
除三星外,其他晶圆代工厂也在发展GAA制程。英特尔2020年6月国际VLSI会议,技术长Mike Mayberry就说明制程技术转移到GAA技术设计下,增强静电。当时英特尔告知5年内采用GAA技术。台积电方面,预计2纳米制程采用GAA技术,代表着台积电能将FinFET技术寿命延长至3纳米制程。台积电正式推出2纳米制程确切时间目前仍不确定,因曾表示5纳米和3纳米将是长寿制程节点。
 
随晶圆代工厂不断注资先进制程、开发技术同时,也代表芯片变得越来越复杂,价钱也会越来越贵,这就是为什么许多客户坚持使用联电或格芯等更成熟、却便宜制程技术芯片。三星认为,虽然GAA技术困难度很高,但三星仍努力降低单芯片成本,且这趋势韩将持续下去。 
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