北京大学沈波教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告

日期:2021-09-27 来源:半导体产业网阅读:322
核心提示:报告将分析GaN基大失配异质外延的物理本质和面临的关键科学技术问题,接着主要介绍近年来北京大学在在上述领域取得的多项研究进展和研究成果。
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III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和高频、高功率电子器件领域具有重大应用价值。近年来AlGaN基深紫外LED和Si衬底上 GaN基功率电子器件发展迅速,受到了学术界和产业界的高度重视。

今年,每两年一届的全国宽禁带半导体学术会议(WBSC)迎来了第四届将在美丽的鹭岛厦门举办。由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办,厦门大学和南京大学联合承办。
 
届时,大会强大的专家团队将与来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研人员、企业代表等,将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛探讨,促进产学研用的深度交流与合作。本次会议将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
 
据了解,本届大会以“芯动力·新征程--宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题,由厦门大学校长张荣教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长共同担任大会主席。同时,邀请了强大的顾问委员会、程序委员会、组织委员会专家团。
 
据组委会最新消息,北京大学沈波教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并带来了题为“GaN基宽禁带半导体的大失配异质外延新进展”的主题报告,将分析GaN基大失配异质外延的物理本质和面临的关键科学技术问题,接着主要介绍近年来北京大学在在上述领域取得的多项研究进展和研究成果。
 
嘉宾简介
沈波教授
沈波,北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人,国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员。  
 
1995年迄今一直从事III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体材料、物理和器件研究,在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题。迄今发表学术论文300多篇,论文被引用4000多次,获得/申请国家发明专利50多件,先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用,并产生了显著的经济和社会效益。
 
更多详情见大会官网:www.wbsc.org.cn

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