【CASICON 2021】第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山:中国功率与射频技术市场现状及未来展望

日期:2021-09-14     来源:半导体产业网    作者:CASICON    
核心提示:未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期,全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域,产能大幅度提升,竞争不断加剧,国内企业更要提前做好应对国际竞争的准备。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导,以及蓝雨软件技术开发(上海)有限公司、爱发科商贸(上海)有限公司、宁波恒普真空技术有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、青岛聚能创芯微电子有限公司、德仪国际贸易(上海)有限公司、大族激光显示与半导体装备事业部、上海翱晶半导体科技有限公司、上海智湖信息技术有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司等单位的大力支持。
会上,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山带来了题为“中国功率与射频技术市场现状及未来展望”的主题报告。他表示,当前国际企业上下游延伸趋势日益明显,全产业链布局进一步提升竞争优势。并且,国际企业已经完成大规模扩产,2020年-2022年产能将逐步释放。国际龙头企业占据市场主要份额,全球第三代半导体仍然由美日欧企业主导。
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以SiC和GaN为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G、光伏发电、PD快充等领域不断取得突破,全球第三代半导体市场总体保持增长态势。全球半导体2020年市场规模达到4400亿美元,同比增长6.8%。其中,电力电子市场近9亿美元。根据Yole和Omdia数据显示,2020年,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的全球市场8.54亿美元,SiC电力电子市场规模约为7.03亿美元,GaN电力电子市场规模约为1.51亿美元。到2025年SiC电力电子市场规模将超过30亿美元,GaN电力电子器件市场规模将超过6.8亿美元。2020年全球功率半导体器件市场规模约为180~200亿美元,SiC、GaN电力电子器件渗透率约为4.2%~4.5%,较2019年提升一个百分点。
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第三代半导体微波射频市场规模超过8亿美元。Yole 2020年数据显示,2020-2025年全球GaN射频器件的总体市场将以12%的年均复合增长率(CAGR)从8.3亿美元增长至超过20亿美元。其中,国防应用是GaN射频器件市场的最重要驱动力量,2020-2025年将以22%的年均复合增长率(CAGR)从3.4亿美元增长至超过11.1亿美元;5G基站建设是GaN射频器件市场的另一关键驱动力量,2020-2025年将以15%的年均复合增长率(CAGR)从3.7亿美元增长至超过7.3亿美元;GaN射频器件在无线宽带、射频能量、商业雷达等市场均呈现增长态势。

他指出,国内已经形成了比较完整的产业链,国内第三代半导体产业已经开始由“导入期”向“成长期”过渡,商业技术逐步稳定、价格接近甜蜜点、应用示范效应拉动,各市场渐次开启,带来需求高速增长。截至2020年底,国内有超过170家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业,而2018年尚不足100家。同时,国内高度重视,推出新举措引导和扶持半导体产业,各级政策持续跟进。并且国内研发实力提升,与先进水平差距缩小。资本市场持续活跃,2020年共24笔投资扩产项目(2019年17笔),投资扩产金额达到694亿元(不含GaN光电子),较2019年同比增长161%。

CASA Research数据显示,2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超过100亿元,较2019年增长69.5%。其中,SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元,同比增长54%,衬底材料约2.2亿元,外延及芯片约5亿元,器件及模组约7.2亿元,装置约30亿元,相较前几年,中下游的增长速度加快。而GaN微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。其中,衬底约6.5亿元,外延及芯片9.2亿元,器件及模组19.6亿元,装置约25.5亿元。

总结时指出,“十四五”是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期,国家双碳战略开始布局,新基建、中国制造2025将要收官,巨大的市场需求为功率半导体、射频技术和产业的发展创造了机遇。中国企业具备做大做强的政策和市场基础。历经多年的布局和发展,我国第三代半导体产业初步形成了从材料、器件、封测到应用的全产业链,但整体技术和产业竞争力与国外龙头企业相比还存在较大差距,自主可控国产化器件的市场占比还很小,存在与国际差距不断拉大的风险。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期,全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域,产能大幅度提升,竞争不断加剧,国内企业更要提前做好应对国际竞争的准备。
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嘉宾简介
于坤山,教授级高级工程师,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长。曾担任输配电及节电技术国家工程研究中心总工,中国电力科学研究院电力电子公司、中电普瑞科技有限公司副总经理兼总工程师,电力电子研究所、微电子研究所所长、电工新材料及微电子研究所所长等职务。长期从事电力电子和电能质量领域的技术研究和工程应用。
 
近年来,在国内外核心刊物上发表论文15篇;获专利34项,其中获发明专利授权8项;出版专著两部,译著一部。获国家科技进步二、三等奖各一项,省部级一、二等奖各2项,三等奖一项。1994年享受国务院政府特殊津贴,1999年获人事部有突出贡献中青年专家称号,1999年获首届中国电机工程青年科技奖,2000年获原国家电力公司首届青年科技创新奖,2007年获国家电网公司优秀专家人才称号。
 

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