【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明:将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角

日期:2021-09-14     来源:半导体产业网    
核心提示:他表示,对于650V或1200V的商用横向GaNFET,雪崩可能起到一定作用。需要更多的研究来解释不同实验室和不同提取方法的实验IIR的巨大差异。Crosslight TCAD是雪崩模拟的合适工具,GaNPower拥有1200V GaN设计的控制权。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
李湛明
会上,Crosslight公司创始人李湛明做了题为“将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角”的主题报告。他表示,对于650V或1200V的商用横向GaNFET,雪崩可能起到一定作用。需要更多的研究来解释不同实验室和不同提取方法的实验IIR的巨大差异。Crosslight TCAD是雪崩模拟的合适工具,GaNPower拥有1200V GaN设计的控制权。
 
嘉宾简介
李湛明早年经华人诺奖得主李政道博士创立的中美联合培养物理类研究生计划(CUSPEA)前往北美留学。1995年创立加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司,现已成为全球光电器件及化合物半导体仿真领域知名度最高的商业软件公司。2015年创办了GaNPower International 第三代半导体芯片公司并申请或取得了多项美国和中国与氮化镓器件相关的发明专利。李博士发表了约150篇学术论文及国际专利,并撰写了两本有关半导体器件设计和仿真的技术专著。
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