【CASICON 2021】湖南国芯半导体科技戴小平:SiC模块封装技术探讨

日期:2021-09-14 来源:半导体产业网阅读:661
核心提示:面对降低能耗、延长续航里程的要求,电动汽车迫切需要进一步提高电驱动系统的功率密度、能量效率和可靠性;SiC 功率器件技术可以提高电驱动系统功率密度和整车能效;银烧结技术、新材料和先进的封装技术能够最大程度的发挥SiC器件的性能。
 9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
戴小平
会上,湖南国芯半导体科技有限公司总经理戴小平做了题为“SiC模块封装技术探讨“的主题报告。他表示,面对降低能耗、延长续航里程的要求,电动汽车迫切需要进一步提高电驱动系统的功率密度、能量效率和可靠性;SiC 功率器件技术可以提高电驱动系统功率密度和整车能效;银烧结技术、新材料和先进的封装技术能够最大程度的发挥SiC器件的性能。报告还详细介绍了银烧结双面散热技术、DTS、绝缘金属基板(Insulated metal baseplate ,IMB )封装技术优缺点。
 
嘉宾简介
戴小平,教授级高级工程师,湖南国芯半导体科技有限公司总经理。一直从事IGBT、SiC、IGCT等功率半导体器件的研究、制造与管理,先后主持多项国家重大科技专项课题,多项科研成果获得省部级奖励。申请专利70余项,发表论文30余篇。
 
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部