赛维电子:聚能创芯融资事项正在推进中 碳化硅基氮化镓材料及制造方面具有技术储备

日期:2021-08-16     来源:半导体产业网    
核心提示:公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出。聚能创芯正在快速发展过程中,同时也正在推进融资事项,不排除其股权结构在未来会发生相应变化。
近日,有投资者在互动平台提问“公司有sic晶圆代工吗? 碳化硅方面专利或技术储备,后面有没有朝碳化硅方面发展可能?”
 
赛微电子表示,GaN和SiC都属于第三代半导体,在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性,都适合做功率电子应用,氮化镓具有高导通能力,氮化镓的异质结是碳化硅不具备的,因此,氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势;另一方面碳化硅起步较早,更加成熟,有一定的成本优势,良率、热导率也会更好些,因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说,在功率系统里,大于10KW以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域,碳化硅更有优势,在10KW以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域,氮化镓有更多的优势。当然,以上属于公司的理解,不一定权威,还请投资者多方咨询确认。公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出,材料技术与工艺制造能力都是为产品服务,具体取决于客户需求。
 
对于“聚能创芯推进的融资怎么样了?公司有增加股权的计划?”的提问,赛微电子表示,公司控股子公司聚能创芯是GaN业务的一级发展平台,业务范围包括GaN外延材料设计生产、GaN芯片设计,同时正参股投资建设GaN制造产线,公司在基于8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)的材料生产与芯片设计方面具备突出优势。聚能创芯正在快速发展过程中,同时也正在推进融资事项,不排除其股权结构在未来会发生相应变化。
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