南亚科总经理李培瑛在今（4）日举行的股东会会后表示，公司第一代10nm级制程技术(1A)已完成试产线装机，前导产品和第二颗下一代DDR5都正在试产中；另外，第二代10nm(1B)级制程技术的首颗产品也将于近期内开始试产。
台媒《经济日报》报道指出，展望未来，李培瑛表示，公司将持续优化20nm产品组合，除增加在服务器及PC OEM客户的认证，也将加速低功率产品推广，未来目标市场包括便捷型产品、汽车及工业等应用，可以有效提高产品价值与销售弹性。
此外，李培瑛还提到了南亚科正在建设的新12英寸晶圆厂情况，他表示，此新厂是为了满足市场需求及公司长远的发展。
“公司已规划在南林科技园区中兴建新的厂房，持续导入先进制程及产品，并扩充产能，新厂预计年底动土，目标于2023年底前开始装机，产能规模将视市场需求分阶段设置。”李培瑛补充说道
