第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地，目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测，正加速实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场，但国产自给率较低，行业仍存巨大供需缺口，国产替代将是未来重要的发展方向。
为了更好的把握时机推进产业的发展，打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈，引领技术及市场风向，半导体产业网在南京大学电子科学与工程学院的指导下，定于2021年8月8-9日在南京召开“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G 射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代，届时邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。诚挚欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。
会议时间：2021年8月8-9日
会议地点：南京·城市名人酒店（江苏省南京市鼓楼区中山北路30号）
联系人：Frank 贾,18310277858
张女士,13681329411
会议资料
组织机构
指导单位
南京大学
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
赞助支持单位
Crosslight Software Inc
聚能创芯微电子有限公司
ULVAC株式会社
宁波恒普真空
GaNPower Intl. Inc
德仪国际贸易
苏州汉骅半导体
上海智湖信息技术有限公司
大族激光
苏州晶湛半导体
上海翱晶半导体
云南锗业
会议背景
以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，因其在国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求方面的重要作用，正成为世界各国竞争的技术制高点。但受工艺、成本等因素限制，多年来仅限于小范围应用。
近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场：SiC肖特基二极管器件开始应用于新能源汽车及高端电源市场，包括PFC、光伏逆变器和高端家电变频器等，GaN快速充电器也大量上市。未来5-10年是全球第三代半导体产业的加速发展期，基于第三代半导体材料的功率半导体器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景，也是我国能否实现产业自主可控的关键期。
由于功率半导体器件在实现电能高效利用、节能减排、建设资源节约型社会方面发挥着不可替代的作用。国家各级政府纷纷出台政策护航产业发展，一批针对性扶持措施开始显效，将会不断推动功率半导体器件行业的技术进步，形成先进技术的自有知识产权，优化国产功率半导体器件的产品结构。
功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。随着5G带来的万物互联及基地台、数据中心数量的迅速增长，以及汽车电子化程度的持续提升，带动功率半导体市场实现较快增长。
在新能源汽车应用以及PD快充市场爆发的强力带动下，2020年国内SiC、GaN电力电子器件市场规模较上年同比增长90%，未来5年将以45%的复合增长率增长至300亿。根据CASA Research第三代半导体产业发展报告（2020）表明：2020年我国第三代半导体电力电子与射频总产值已经超过100亿元 。SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。“十四五”科技计划中将建设“面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子，应用于数据中心电源的GaN电力电子器件”提上日程，未来这个市场将迎来高速增长。
随着国内企业逐步突破行业内高端产品的核心技术，我国功率半导体器件对进口的依赖将会减弱，进口替代的市场机遇逐渐显现。功率半导体器件是国民经济中各行业发展的基础元器件，其技术进步和应用领域的拓宽既能够促进工业的产业结构升级，也为居民生活带来更多便利和舒适。
目前，第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地，目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测，几乎可以实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场，但国产自给率较低，行业仍存巨大供需缺口，国产替代将是未来重要的发展方向。
为了更好的把握时机推进产业的发展，打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈，引领技术及市场风向。半导体产业网在南京大学等单位的指导下，拟定于2021年在南京组织召开“2021功率与射频半导体技术与市场应用峰会（CASICON 2021）” 邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。
会议安排
报告嘉宾&主题报告
8月8日报告（陆续更新中）
嘉宾：陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
报告：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
嘉宾：陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
报告：GaN功率开关器件及其高频电源应用
嘉宾：孙伟锋--东南大学教务处处长 教授
报告：功率电子电路设计(TBD)
嘉宾：龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
报告：低成本高性能氧化镓功率器件
嘉宾：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
报告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉宾：张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
报告：新能源汽车电力电子系统及其运行控制
嘉宾：黄润华--中电科五十五所副主任设计师
报告：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
嘉宾：戴小平-株洲中车电气时代/湖南国芯总经理
报告：SiC模块封装技术探讨
8月9日报告（陆续更新中）
嘉宾：程新红--中科院上海微系统研究所研究员
报告：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
嘉宾：邓小川--电子科技大学教授
报告：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
嘉宾：惠 峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
报告：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
嘉宾：陈 鹏--南京大学教授
报告：GaN肖特基功率器件新进展
嘉宾：倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
报告：高性能高压碳化硅功率器件设计与技术
嘉宾：李 强--西安交通大学
报告：基于HBN 的射频器件
嘉宾：吴 彤--安森美首席SiC 专家
报告：Adopt of SiC devices in EV applications
嘉宾：吴 亮--奥趋光电CEO
报告：高质量AlN/AlScN单晶衬底与薄膜制备技术及其在射频滤波领域应用前景展望
嘉宾：张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
报告：氮化镓基VCSEL技术进展
嘉宾：蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
报告：金刚石微波功率器件研究
嘉宾：左 超--爱发科商贸（上海）有限公司电子营业部部长
报告：量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术
嘉宾：裴 轶--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁
报告：面向5G移动通讯的氮化镓射频功率器件
嘉宾：王祁玉--益丰电子副总经理
报告：射频器件（TBD）
嘉宾：袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
报告：面向快充应用的GaN材料和器件技术
嘉宾：刘 雯--西交利物浦大学
报告：硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术
嘉宾：陈钰林--英诺赛科科技股份有限公司副总裁
报告：八英寸硅基氮化镓技术进展（TBD）
嘉宾：顾 星--苏州汉骅半导体有限公司
报告：GaN 射频器件（TBD）
嘉宾：叶建东--南京大学教授
报告：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
嘉宾：刘新科--深圳大学副教授
报告：基于氮化镓单晶衬底的半导体功率器件
嘉宾：彭 燕--南砂晶圆研发中心主任，山东大学副教授
报告：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
嘉宾：叶念慈--三安集成技术市场总监
报告：（TBD）
嘉宾：樊嘉杰--复旦大学青年研究员
报告：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
嘉宾：纽应喜--启迪半导体研发总监
报告：碳化硅外延装备及技术进展
嘉宾：童吉楚--乾照激光副总经理
报告：VCSEL 技术 (TBD)
嘉宾：程 凯--苏州晶湛半导体
报告：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
嘉宾：杨学林--北京大学物理学院高级工程师
报告：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
嘉宾：徐尉宗--南京大学研究员
报告：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
更多报告嘉宾正在确认中！！！
拟参与单位
华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学，电子科技大学，河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯，赛微电子，南京百识，唐晶量子，天科合达，汉骅半导体，南京百识，大族激光，德仪，江苏三代半研究院等
投稿
Oral或Poster ：500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。
注册缴费
参会注册 ：注册费 2000 （会议资料，招待晚宴，自助餐）
住宿费：自理
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
参会/赞助/商务合作
Frank 贾
18310277858
jiaxl@casmita.com
张女士 （Vivian）
13681329411
zhangww@casmita.com
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协议酒店
城市名人酒店（协议价400，含早）
王玮Cara
18652978537
648231476@qq.com
疫情防控
鉴于江苏省疫情发展形势及其省内相关疫情防控部署，请大家严格遵守当地防疫要求，预计峰会将酌情延期举行，请大家务必做好日常健康监测防护，静待疫情早日结束！
