官方介绍，研发团队在巩固原有技术的基础上，解决了硬轴单晶炉高真空、高精度及传动过程震动消除等诸多技术难题，实现了高稳定性晶体生长环境，为 12 英寸硅单晶体内微缺陷控制和径向均匀性提高提供了技术支撑。
晶盛机电称，依托两项国家科技重大 02 专项课题（“300mm 硅单晶直拉生长装备的开发”和“8 英寸区熔硅单晶炉国产设备研制”），专注于半导体硅单晶生长装备研发，相继开发出定拉速控径、液位控制、定放肩、超导磁场拉晶等多项国际领先技术。
7月20日，晶盛机电晶体实验室自主研发的国内首台12英寸硬轴直拉硅单晶炉成功生长出首颗12英寸硅单晶。这是继2020年8月国内首台8英寸硬轴直拉炉生长出8英寸硅单晶之后，又一次在半导体级硅单晶生长装备上取得的重要技术进展，为国内大硅片行业技术升级提供了装备保障。
