外媒:美光科技将引入极紫外光刻机

日期:2021-07-02 来源:半导体产业网阅读:278
核心提示:据国外媒体报道,在2021财年第三财季的财报分析师电话会议上,美光科技CEO兼总裁Sanjay Mehrotra透露,他们将引入极紫外光刻机。
据国外媒体报道,在2021财年第三财季的财报分析师电话会议上,美光科技CEO兼总裁Sanjay Mehrotra透露,他们将引入极紫外光刻机。
 
从Sanjay Mehrotra在财报分析师电话会议上透露的消息来看,美光科技是计划2024年,在部分工艺节点部署极紫外光刻机,随后扩大到更多工艺节点。
 
Sanjay Mehrotra还表示,他们一直在关注极紫外光刻机的进展,他们其实也在评估引入极紫外光刻机。
 
事实上,美光科技此前就曾表示他们将引入极紫外光刻机。Sanjay Mehrotra在会上就提到,他们曾多次表示,当他们认为极紫外光刻机平台及生态系统变得更成熟的时候,他们就将在适当的时间点引入极紫外光刻机。

美光表示,计划从2024年开始,将EUV纳入DRAM开发路线图。另外,美光计划在今年年底安装ASML新一代EUV光刻机3600D。
 
值得注意的是,美光科技并不是首家引入极紫外光刻机的存储芯片制造商,SK海力士就已在他们的M16工厂安装极紫外光刻机,在2月份就开始试生产1anm的DRAM,预计在今年7月份开始大规模生产。

 
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