中微半导体首台8英寸CCP刻蚀设备顺利付运

日期:2021-06-17 来源:半导体产业网阅读:315
核心提示:近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微半导体”)首台8英寸甚高频去耦合反应离子(CCP)刻蚀设备Primo AD-RIE 200顺利付运客户生产线。
近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微半导体”)首台8英寸甚高频去耦合反应离子(CCP)刻蚀设备Primo AD-RIE 200顺利付运客户生产线。
 
据悉,Primo AD-RIE 200刻蚀设备是中微半导体自主研发的新一代8英寸甚高频去耦合反应离子(CCP)刻蚀设备,能够满足不同客户8英寸晶圆的加工需求,同时可灵活配置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台)。此外,Primo AD-RIE 200还提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案,以满足客户生产线未来可能扩产的需求。


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图片来源:中微半导体
 
资料显示,中微半导体从事半导体设备的研发、生产和销售,主要产品包括CCP刻蚀设备、ICP刻蚀设、MOCVD设备等。据中微半导体此前公布的年报显示,2020年,中微半导体与国内外一流客户保持紧密合作,相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。
 
其中CCP刻蚀设备Primo AD-RIE、Primo SSC ADRIE、Primo HD-RIE等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线,在部分客户市场占有率已进入前三位。此外,在先进逻辑电路方面,中微半导体已经成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。
 
在存储电路方面,中微半导体的刻蚀设备在64层及128层3D NAND的生产线得到广泛应用。随着3D NAND芯片制造厂产能的迅速爬升,该等产品的重复订单稳步增长。同时,公司积极布局动态存储器的应用,并开始工艺开发及验证。
 
Primo AD-RIE 200作为中微半导体新推出的用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备,不仅丰富了中微半导体现有的刻蚀设备产品线,也是中微半导体发展历程中的又一个重要里程碑。
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