闻泰科技打造碳SiC+IDM一体化产业链!

日期:2021-04-07 来源:化合物半导体阅读:304
核心提示:日前,闻泰科技副总裁吴友文透露,目前控股股东层面布局的SiC碳化硅项目晶越半导体今年将良率达产,安世半导体的SiC二极管产品已经推出,SiC碳化硅的Mosfet预计年底左右推出。
日前,闻泰科技副总裁吴友文透露,目前控股股东层面布局的SiC碳化硅项目晶越半导体今年将良率达产,安世半导体的SiC二极管产品已经推出,SiC碳化硅的Mosfet预计年底左右推出。
 
吴友文称,闻泰科技正打造碳化硅材料+IDM一体化产业链布局,抓住汽车电动化智能化带来的产业机遇。
 
2021年以来,闻泰科技在汽车领域动作连连。
 
1月初,闻泰科技全资子公司安世半导体面对激增的半导体材料需求,宣布扩建位于上海临港的12寸晶圆厂,将于2022年7月投产,产能预计将达到每年40万片。
 
同月,基本半导体宣布,公司已经完成数亿元人民币B轮融资,由闻泰科技领投,深圳市投控资本、民和资本、屹唐长厚等机构跟投,原股东力合资本追加投资。
 
基本半导体是中国领先的碳化硅功率器件提供商之一,通过这次投资,闻泰科技可以说是get了碳化硅功率器件的“参赛资格”。
 
3月,安世半导体宣布与联合汽车电子(UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作。据悉,安世半导体此举旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求,并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。
 
过去的一年,受疫情影响,汽车行业需求强劲,供不应求,据Trendforce集邦咨询研究表示,2020年全球新能源汽车共销售290万辆,年成长率43%,预期2021年销售量可望达390万辆。其中,2020年Tesla销售主力以Model 3为主,以24.5%市占率居冠。

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值得注意的是,随着特斯拉 Model 3 电动车逆变器逐渐采用 SiC 碳化硅器件,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视。
 
根据福特汽车公开信息,相比于传统硅芯片(如IGBT)驱动的新能源汽车,由第三代半导体材料制成芯片驱动的新能源汽车,可以将能量损耗降低5倍左右,新能源汽车是第三代半导体发展的关键领域。
 
吴友文认为,第三代化合物半导体具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性。在轨道交通领域,碳化硅、氮化镓器件被认为有望逐步取代硅基IGBT。
 
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