日前，韩国政府宣布将正式培育下一代功率半导体技术，并计划到2025年为止，开发5种以上新一代功率半导体商用产品，在国内建设6~8英寸代工厂基础设施。
据韩国媒体报道，4月1日，韩国政府召开会议，发表了包含上述内容的"下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案"。
新一代功率半导体由比硅（Si）更节能、更耐用的新型半导体材料构成，包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga2O3 ），可适用于人工智能 、5G 或需要面对高温、高压环境，且对耐久性要求较高的新能源汽车中。
为抢占这一市场，韩国政府作出了一系列计划，包括鼓励民间资本对国内相关基础设施进行投资，建设6~8英寸代工厂。
韩国产业部长官成允模表示："在AI、5G、自动驾驶、新能源等领域，下一代功率半导体是关键零部件"，"政府计划积极支援研发、基础设施等，以抢占初期的下一代功率半导体市场，确保未来竞争力。"
