瞻芯电子6英寸碳化硅功率芯片制造项目开工,预计2022年投入生产

日期:2021-03-31     来源:第三代半导体产业网    
核心提示:瞻芯电子碳化硅功率芯片制造项目宣布开工,预计2022年投入生产!
3月30日,义乌举行了2021年一季度重大项目开工和招商引资项目集中签约活动。上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“瞻芯电子”)碳化硅功率芯片制造项目参与并宣布开工。
 
据了解,浙江瞻芯电子科技有限公司是上海瞻芯电子科技有限公司控股子公司,项目计划投资建设碳化硅功率器件生产研发中心,一期占地50亩,包含6英寸的碳化硅功率器件生产线与工艺研发平台,预计2021年设备进场安装和调试,2022年投入生产,形成年产30万片6英寸晶圆的生产能力。
 
在去年签约仪式上透露,上海瞻芯碳化硅功率芯片生产基地项目总投资5亿元,建设期约为2年,项目全面达产后,预计年销售收入达16.8亿元。项目投产后,将实现产品进口替代。
据了解,瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海自贸区临港新片区。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的SiC工艺及器件设计、SiC MOSFET驱动芯片设计、电力电子系统应用、市场推广和产品运营等方面高素质核心团队,自成立之日起便启动6英寸SiC MOSFET的产品研发工作。经过三年的深度研发和极力攻关,成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺,以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。
瞻芯电子以虚拟IDM模式与国内一线半导体行业的合作伙伴完成晶圆制造、芯片封装、模块封装、性能测试和可靠性测试等工作环节,为中国新能源产业提供整套SiC功率器件及驱动芯片解决方案,同时打造我国独立自主的碳化硅电力电子产业链关键环节。以下梳理下公司发展历程:
 
2017年7月17日,上海瞻芯电子科技有限公司成立于美丽的东海之滨,滴水湖畔的临港科技城园区。
 
2018年1月12日,正式入驻临港科技城下辖的临港科创园。
 
2018年4月27日,瞻芯电子SiC MOSFET第一轮流片成功,这也是中国第一批国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆。
 
2019年9月30日,瞻芯电子业界第一颗集成了SiC MOSFET 驱动所需的负栅压、退饱和等功能的8-pin IC芯片IVCR1401(SiC MOSFET Driver IC)和IVCR2401(普适型的双通道MOSFET Driver IC)驱动IC量产。
 
2020年4月30日,瞻芯电子宣布SiC SBD实现量产。
 
2020年9月11日,瞻芯电子的碳化硅1200V 80mohm MOSFET产品通过JEDEC工规级认证,宣布SiC MOSFET实现量产。
 
2020年10月16日,瞻芯电子在上海临港举办新品发布会并公布了最新融资进展。瞻芯电子宣布已经完成过亿元融资,投资方包括临芯投资、金浦投资以及几家重要产业协同方,青桐资本担任财务顾问。
 
2020年10月16日,瞻芯电子发布了基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅(SiC)MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET,该产品的发布填补了国内空白。
 
本文由第三代半导体产业网整理报道。


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