三安光电股份有限公司发布全资子公司获得补贴款的公告。公告表示，根据公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会签订的《项目投资建设合同》，长沙高新技术产业开发区管理委员会同意按合同约定拨付公司全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称 “湖南三安”）科技研发专项扶持资金2亿元。
湖南三安已于2021年3月19日收到该笔款项。根据《企业会计准则第16号—政府补助》的规定，湖南三安收到的该笔科技研发专项扶持资金在收到时确认为当期收益，将对公司2021年第一季度业绩产生积极影响。
资料显示，湖南三安业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。
湖南三安项目总投资160亿，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。
湖南三安半导体项目是长沙市高新区铺排重点项目，根据项目规划主附建筑物81栋，包括长晶、衬底、外延、芯片、封测等厂房，总建筑面积54万平米。建成达产后将形成超100亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计超1000亿元，创造近10000个就业岗位。
目前，湖南三安第三代半导体项目3栋厂房主体相继封顶。
