期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，电子科技大学教授周琦分享了基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的微波混频器与功率整流器的最新进展。
GaN在快充、LiDAR、数据中心等领域已有广泛应用，报告详细介绍了三代GaN混合阳极二极管的状况，并指出，实际应用推动了GaN功率器件技术的发展。GaN二极管在分立器件和功率集成中都有重要作用。
周琦专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓（GaN）功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN（GaN-on-Si）栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件性能达到国际领先水平。研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
