近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，德国爱思强股份有限公司协办的“超宽禁带半导体技术”分会上，郑州大学教授、河南省电子材料与系统国际联合实验室国家电子材料与系统国际联合研究中心主任刘玉怀分享了金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延的最新进展。
六方相氮化硼和金刚石均为下一代电子器件和光电子器件的优异材料，二者的结合可望带来更佳特性，但鲜见金刚石上生长六方相氮化硼的报道。研究首次展示利用有机金属气相外延方法在金刚石衬底上生长六方相氮化硼薄膜。AFM、XRD、TEM测试结果表明，(100)面金刚石衬底上生长的六方相氮化硼薄膜呈无序状，而(100)面金刚石衬底上生长的六方相氮化硼薄膜呈单晶形态，六方相氮化硼与(100)面金刚石之间的晶向关系为[0 0 0 1]hBN // [1 1 1]diamond 以及 [1 0 0]hBN // [1 1 ]diamond。XPS测试结果表明，hBN/ (111)diamond价带带阶为1.4 ± 0.2?eV，从而得到导带带阶1.0 ± 0.2 eV。此外，在金刚石衬底预处理方面，纯氢气氛围有利于得到平坦的表面，有利于六方相氮化硼的生长；而氢气与氨气的混合氛围容易导致衬底表面出现小坑，从而破坏后期六方相氮化硼的生长。
刘玉怀现任郑州大学信息工程学院电子与信息工程系教授、博士生导师、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任、日本名古屋大学客座教授。获河南省教育厅学术技术带头人、河南省高校科技创新人才、河南省高层次人才B类等称号。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等12项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目，参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
