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  • 【视频报告 2018】Kaz

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    【视频报告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
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    limit2021-04-29 12:24

  • 【视频报告 2018】维

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    【视频报告 2018】维
    美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LE
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  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。
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  • 【视频报告 2018】江

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    【视频报告 2018】江
    　江苏大学左然教授分享了《AlN MOCVD的气相和表面反应机理的量子化学计算》研究报告。他介绍到，课题组利用量子化学的密度泛函
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  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中微半导体设备（上海）有限公司副总裁MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑
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  • 【视频报告 2018】北

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    【视频报告 2018】北
    北京北方华创微电子装备有限公司产品总监董博宇带来了《磁控溅射制备的ITO薄膜在LED领域中的开发及应用》主题报告。
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  • 【视频报告 2018】南

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    【视频报告 2018】南
    【极智报告】南京大学陈琳：6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
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  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】敖

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    【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】苏

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    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
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  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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  • 【视频报告 2018】四

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    【视频报告 2018】四
    OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告，报告中将首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。检查各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器来演示这些工艺的性能
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  • 【视频报告 2018】挪

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    【视频报告 2018】挪
    挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG
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    limit2021-04-29 12:19

  • 【视频报告 2018】有

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    【视频报告 2018】有
    有研稀土新材料股份有限公司马小乐博士分享了全光谱LED照明用荧光粉现状及趋势。
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  • 【视频报告 2018】大

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    【视频报告 2018】大
    深圳大道半导体有限公司总经理兼产品总监李刚带来了薄膜倒装芯片及其芯片级封装与应用的报告，分享了一系列制备薄膜倒装芯片的关
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  • 【视频报告 2018】厦

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    【视频报告 2018】厦
    厦门大学副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子点降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子点（平均直径3nm），通过研究
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  • 【视频报告 2018】德

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    【视频报告 2018】德
    显示技术的发展多种路线，倒装芯片广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部研发部部长刘宇轩倒装芯片应用于新世代液晶显示器
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  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潜力吸引了很多研究者的注意。西安交通大学田震寰博士带来了激光打孔和双衬底转移技术制备金字
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