【视频报告 2018】西安电子科技大学赵子越博士:基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

视频IFWS2021-11-15 16:47
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西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(fT/fmax=61GHz/1
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