徐现刚:碳化硅单晶衬
5270
徐科:氮化镓单晶材料
3200
蒋科:宽禁带氮化物半
990
朱海:宽禁带半导体微
860
陆文强:一维ZnGa2O4
330
张文辉:升华法生长β
1080
陈凯:基于MPCVD法异
2080
穆文祥:氧化镓单晶生
720
汤潇:全溶液法沉积柔
1720
张逸韵:高温气氛退火
610
唐宁:氮化镓量子阱中
1600
徐童龄:基于NiO/β-
530
张亚民:基于脉冲信号
760
刘红辉:光照下AlGaN/
1590
陈鹏:GaN基肖特基功
3130
吴帆正树:碳化硅沟槽
1010
叶建东:氧化镓基双极
2760
李忠辉:新型Al(Ga)N/
2070
李天义:SiC紫外单光
1490
杨伟锋:碳化硅(4H-Si
3050