半导体行业对高纯电子化学品质量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亚格盛电子新材料有限公司副总经理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd

高可靠功率系统集成的发展和挑战Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰泽中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理，广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

宽禁带半导体，助力推动绿色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世苏州汽车部件总经理，博世汽车电子中国区总裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China

中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大

电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种

报告简介工业4.0：对于电子工业和产品的大好时机 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA总裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的

苏州锴威特半导体股份有限公司研发副总 谭在超 《SiC MOSFET的产品特征及在电力电子的应用机遇》

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。