《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院

《GaN材料碳杂质行为与激光器研究进展》作者：赵德刚单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学

《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》作者：黄丰单位：中山大学材料学院

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院

特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。

常州星宇车灯股份有限公司工程师李茹分享了热界面材料的特性及其对LED车灯散热和可靠性影响的研究成果，结合具体的研究实践，她

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

江苏南大光电材料股份有限公司陈化冰副总裁受邀出席第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛期间，接受极智头

上海大学教授，Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮分享了大批量工艺制备的高质量氮化铝模板材料表征分析。报告中介绍了使用Ult

报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 黄勇 主题报告：《锑化物半导体材料及器件》

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

作为基础材料，荧光粉的技术水平与半导体照明发展密切相关，有研稀土新材料股份有限公司副总经理、教授级高级工程师刘荣辉分享了大功率照明用荧光材料研发进展。 当前，LED照明光源呈现出朝着大电流密度、高光效方向发展，第三代半导体照明向着高能、短波特性方向发展等趋势，现有大功率照明存在着结温高、散热量大，结温高降低产品使用寿命，温度高荧光粉量子效率降低，温度高硅胶热应力增大、折射率降低等问题，可以通过荧光粉料

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

河北工业大学教授徐庶：低毒性量子点复合材料LED器件应用

英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告

河北工业大学教授徐庶带来则介绍了量子点用于固态照明的量子点硅脂纳米复合材料。更多精彩报告，请关注下载极智头条APP！

北京康美特科技股份有限公司总工程师孙宏杰针对公司生产的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究现状和发展趋势”报告，报告指出康美特目前所具备的竞争优势：一是树脂的合成、纯化；二是添加剂的合成以及配方工艺及质量控制方面的优势。更多精彩报告，请关注下载极智头条APP！

山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮做了高温高压单晶实验室生长金刚石技术的介绍，分享了单晶金刚石生产技术方面的工作及成果。

苏州大学功能纳米与软物质研究院教授冯敏强在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介绍什么做白光OLED及应用，并从材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整