刘建勋：大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究

视频WBSC 20212024-04-12 10:26
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《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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