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  • 刘建勋：大尺寸硅基Ga

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    刘建勋：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
    28100
    limit2022-01-05 16:49

  • 梁锋：GaN基大功率蓝

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    梁锋：GaN基大功率蓝
    《GaN基大功率蓝光激光器》作者：梁锋，赵德刚单位：中国科学院半导体研究所
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    limit2022-01-05 16:06

  • 孙钱：硅衬底GaN基激

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    孙钱：硅衬底GaN基激
    《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    38400
    limit2022-01-05 15:36

  • 龚政：氮化镓基Micro-

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    龚政：氮化镓基Micro-
    《氮化镓基Micro-LED巨量转移及红光芯片进展》作者：龚政单位：广东省科学院半导体研究所
    37900
    limit2022-01-05 13:22

  • 黄思溢：基于水平常压

    2560

    黄思溢：基于水平常压
    《基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征》作者：黄思溢，池田昌夫，张名龙，张峰，朱建军，刘建平，杨辉单位：中国科学
    25600
    limit2022-01-05 11:27

  • 陈荔：基于高温热退火

    2190

    陈荔：基于高温热退火
    《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
    21900
    limit2022-01-05 11:02

  • 许福军：AlGaN基深紫

    3500

    许福军：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
    35000
    limit2022-01-05 09:53

  • 黎大兵：AlN基宽禁带

    4090

    黎大兵：AlN基宽禁带
    《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
    40900
    limit2022-01-05 09:19

  • 【视频报告 2018】明

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    【视频报告 2018】明
    【极智报告】明朔光电副总经理江维：基于石墨烯智慧路灯的道路大数据生态构建与运营
    53400
    limit2021-04-29 12:32

  • 【视频报告 2018】南

    18970

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
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    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】厦

    14790

    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
    147900
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】复

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    【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。
    92800
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】基

    12560

    【视频报告 2018】基
    深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
    125600
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】Vic

    18540

    【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】西

    13340

    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    133400
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】敖

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    【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
    231400
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】挪

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    【视频报告 2018】挪
    挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG
    000
    limit2021-04-29 12:19

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潜力吸引了很多研究者的注意。西安交通大学田震寰博士带来了激光打孔和双衬底转移技术制备金字
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    limit2021-04-29 12:18

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