所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。

南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。

泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称“泰科天润”）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中6

伍尔特电子及其美国子公司伍尔特电子明康有限公司 (Wurth Electronics Midcom) 参加穆尼黑上海电子展。伍尔特电子作为电子和机电元件的制造商将展示其丰富的传统产品，以及一些新发布的产品。这其中包括新颖的 SMD 磁珠和两款创新型插塞式连接器。展览项目的另一个焦点是日趋丰富的铝电解电容产品组合。此外，伍尔特电子明康有限公司将提供其定制电感元件系列的相关信息，并且提供德州仪器 SN6501 和 SN6505B 的参考设计。作为展示的亮点，虚拟现实演示将为工程师们展现如何通过使用 IC Re

韩国岭南大学教授Ja-soon JANG 介绍了GaN基发光二极管器件可靠性特性分析方法技术报告。他表示，发光二极管（LED）技术已经迅速发展以满足LED应用领域的各种需求，如汽车照明，手术照明和IT可控智能照明。 随着LED的重要性越来越大，可靠性问题越来越重要。 他分享了最近的可靠性问题，并考虑到可以解决可靠性问题的可行方法。为此，我们从遗传个体和外部诱导的退化因素、复杂因素和触发因子等方面进行研究，新提出了影响LED可靠性行为的边界条件（芯片和封装之间）以及影响因素，以确保LED的哪些部分易受

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。

加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...