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  • 英诺赛科研发中心副总

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    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
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    limit2019-12-30 13:03

  • 日本德岛大学教授敖金

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    日本德岛大学教授敖金
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
    323600
    limit2019-12-29 13:00

  • Victor VELIADIS教授

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    Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市
    32400
    limit2018-12-01 12:43

  • 英飞凌科技香港有限公

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    英飞凌科技香港有限公
    极智报告|英飞凌科技香港有限公司市场总监马国伟：CoolSiCTMSiC MOSFET技术、器件和应用 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
    109300
    limit2018-11-30 12:45

  • 中电科55所：SiC电力

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    中电科55所：SiC电力
    极智报告|中电科55所：SiC电力电子器件产品国产化进展
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    limit2018-11-30 12:44

  • 株洲中车时代电动汽车

    2200

    株洲中车时代电动汽车
    极智报告|株洲中车时代电动汽车股份有限公司副总经理刘国友：新能源汽车用功率器件解决方案报告。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！
    22000
    limit2018-11-26 12:41

  • 极智报告|美国伦斯勒

    12330

    极智报告|美国伦斯勒
    美国智能照明工程技术研究中心主任, 美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固体照明、显示器和物联网集成主题报告。 他在报告中，Joseph Schumpeter的20世纪中期的创造性破坏的经济概念正在今天的照明工业中得到实时发挥。随着光电子（LED和激光二极管）和物联网结合起来改造照明和显示行业，不断创新和不断创新的潮流正在继续在这两个市场上开辟新的服务和能力。 报告中，他系统地回顾了高效LED芯片和封装的
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    limit2018-02-01 10:59

  • 【极智课堂】李士颜：

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    【极智课堂】李士颜：
    今天极智课堂邀请到中国电子科技集团第五十五研究所李士颜博士，分享《从特斯拉用碳化硅代替IGBT说起——碳化硅功率器件之新能源汽车应用及展望》主题报告
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    limit2025-06-17 01:14

  • 【极智课堂】CASA氮化

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    【极智课堂】CASA氮化
    本期嘉宾苏州能讯高能半导体有限公司总经理任勉为我们分享的主题是《氮化镓主题报告（二）氮化镓（GaN）电子器件产业发展》
    1100
    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成
    1300
    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|科锐中国市

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    极智报告|科锐中国市
    科锐中国市场推广部总监林铁先生分享了“大功率LED和COB器件技术发展”报告。 科锐作为全球大功率的整个国际上的领先者，其技术和产品研发一直都是业界关注的焦点。会上，林铁总监表示，大功率LED和COB器件在高端照明市场具备竞争优势。随着国家相关政策和产业发展趋势，大功率LED器件技术也在不断变革、细化、发展。器件的光效 、光输出、光学均匀性、性能都在不断提升。超大功率LED器件带来更高流明输出和光效。 科锐在LED器件领域又有重大突破，推出革新性的NX技术平台。该平台将为新一代照明级LED的创新发展，
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智高端访谈：凯耀电

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    极智高端访谈：凯耀电
    极智高端访谈：凯耀电器总经理沈雁伟畅谈公司及产业新动态
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智高端访谈：浙大三

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    极智高端访谈：浙大三
    浙大三色仪器有限公司总经理王建平在2018光亚展期间，接受极智头条现场访问，王建平总经理现场与极智网友分享公司核心竞争力！
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|日本Novel C

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    极智报告|日本Novel C
    日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|苏州大学冯

    30

    极智报告|苏州大学冯
    苏州大学功能纳米与软物质研究院教授冯敏强在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介绍什么做白光OLED及应用，并从材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。
    300
    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|耶鲁大学研

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    极智报告|耶鲁大学研
    耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE
    1200
    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|瑞典查尔姆

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    极智报告|瑞典查尔姆
    瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|南京电子器

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    极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择
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    limit2025-06-17 01:14

  • 极智报告|英诺赛科副

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    极智报告|英诺赛科副
    英诺赛科（珠海）科技有限公司副总经理金源俊介绍“200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺”报告。 由于缺乏低成本GaN体衬底，GaN被外延生长在各种基底上，最常见的是蓝宝石，碳化硅（SiC）和硅。虽然晶格常数和热膨胀系数（CTE）的失配使外延GaN很困难，特别是对于较大的Si衬底尺寸，但是对GaN生长Si衬底变得有吸引力，这是因为Si的晶圆直径大（200mm及更高）。为了替代商业的Si功率器件，GaN器件应当设计为增强型（e-mode），并通过低成本，
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    limit2025-06-17 01:14

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