• 方志来:P型氮掺杂β-
    《P型氮掺杂-氧化镓材料与器件初探》作者:方志来单位:复旦大学信息科学与工程学院,复旦大学光电研究院,工程与应用技术研究院
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    limit2022-01-05 17:41
  • 龙世兵:超宽禁带氧化
    《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者:龙世兵,徐光伟,赵晓龙,孙海定单位:中国科学技术大学
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    limit2022-01-05 17:12
  • 袁昊:万伏级4H-SiC基
    《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者:刘延聪,唐冠南,汤晓燕,袁昊,宋庆文,张玉明单位:西安电子科技大学,中国人民解放军空军工程大学
    21900
    limit2022-01-05 17:00
  • 陆海:面向复杂电气应
    《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者:陆海,张荣,郑有炓单位:南京大学电子科学与工程学院
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    limit2022-01-05 16:58
  • 朱广润:微波毫米波器
    《GaN微波毫米波器件新进展》作者:张凯,朱广润,代鲲鹏,贾晨阳,房柏彤,李传浩,周浩,孙岩,吴立枢,程钰杰,王伟凡,李忠辉,陈堂胜单位:南京电子器件研究所,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
    23300
    limit2022-01-05 16:51
  • 刘建勋:大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者:刘建勋,詹晓宁,孙秀建,黄应南,高宏伟,孙钱,杨辉单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
    27100
    limit2022-01-05 16:49
  • 刘斌:量子点/氮化物
    《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者:刘斌,许非凡,余俊驰,陶涛,陆海,陈敦军,张荣单位:南京大
    18900
    limit2022-01-05 11:31
  • 许福军:AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者:许福军,沈波,单位:北京大学物理学院
    34700
    limit2022-01-05 09:53
  • 视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士,分享了功率器件之争:宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件,该领域的市场潜力非常大,对于功率器件而言,可靠性至关重要。结合目前的发展情况,对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说,硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的,已经
    99600
    limit2021-04-29 12:39
  • 【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到,基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率,与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外,Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30
  • 【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术,制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列,然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中,形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应,发光激子的复合寿命大
    126900
    limit2021-04-29 12:29
  • 【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说,显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术,获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》;
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性:我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域(如5G通讯基站)具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境,对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程,从产品设计,工艺开发,器件生产,到最终筛选测试,每一个环节都按严格的程序进行,确
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20
  • 【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授:适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【视频报告 2018】国
    佛山市国星光电股份有限公司电研发中心副主任兼白光器件事业部副总经理谢志国在《LED健康照明器件的技术研究及产品应用》报告中
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    limit2021-04-29 12:09
  • 【视频报告 2018】AIX
    一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授,AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告,分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告,分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告,介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率,通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展,并揭示了器件机理;此外,针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究,系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46
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