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  • Victor VELIADIS教授

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    Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43

  • 英飞凌科技香港有限公

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    英飞凌科技香港有限公
    极智报告|英飞凌科技香港有限公司市场总监马国伟：CoolSiCTMSiC MOSFET技术、器件和应用 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
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    limit2018-11-30 12:45

  • 中电科55所：SiC电力

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    中电科55所：SiC电力
    极智报告|中电科55所：SiC电力电子器件产品国产化进展
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    limit2018-11-30 12:44

  • 株洲中车时代电动汽车

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    株洲中车时代电动汽车
    极智报告|株洲中车时代电动汽车股份有限公司副总经理刘国友：新能源汽车用功率器件解决方案报告。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！
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    limit2018-11-26 12:41

  • 【极智课堂】李士颜：

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    【极智课堂】李士颜：
    今天极智课堂邀请到中国电子科技集团第五十五研究所李士颜博士，分享《从特斯拉用碳化硅代替IGBT说起——碳化硅功率器件之新能源汽车应用及展望》主题报告
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    limit2024-05-02 18:55

  • 【极智课堂】CASA氮化

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    【极智课堂】CASA氮化
    本期嘉宾苏州能讯高能半导体有限公司总经理任勉为我们分享的主题是《氮化镓主题报告（二）氮化镓（GaN）电子器件产业发展》
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|科锐中国市

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    极智报告|科锐中国市
    科锐中国市场推广部总监林铁先生分享了“大功率LED和COB器件技术发展”报告。 科锐作为全球大功率的整个国际上的领先者，其技术和产品研发一直都是业界关注的焦点。会上，林铁总监表示，大功率LED和COB器件在高端照明市场具备竞争优势。随着国家相关政策和产业发展趋势，大功率LED器件技术也在不断变革、细化、发展。器件的光效 、光输出、光学均匀性、性能都在不断提升。超大功率LED器件带来更高流明输出和光效。 科锐在LED器件领域又有重大突破，推出革新性的NX技术平台。该平台将为新一代照明级LED的创新发展，
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|日本Novel C

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    极智报告|日本Novel C
    日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|苏州大学冯

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    极智报告|苏州大学冯
    苏州大学功能纳米与软物质研究院教授冯敏强在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介绍什么做白光OLED及应用，并从材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|瑞典查尔姆

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    极智报告|瑞典查尔姆
    瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|南京电子器

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    极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|英诺赛科副

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    极智报告|英诺赛科副
    英诺赛科（珠海）科技有限公司副总经理金源俊介绍“200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺”报告。 由于缺乏低成本GaN体衬底，GaN被外延生长在各种基底上，最常见的是蓝宝石，碳化硅（SiC）和硅。虽然晶格常数和热膨胀系数（CTE）的失配使外延GaN很困难，特别是对于较大的Si衬底尺寸，但是对GaN生长Si衬底变得有吸引力，这是因为Si的晶圆直径大（200mm及更高）。为了替代商业的Si功率器件，GaN器件应当设计为增强型（e-mode），并通过低成本，
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|国家电网全

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    极智报告|国家电网全
    所有的技术都有一个发展过程，尤其对于电网来说，它要求的高电压大电流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏介绍了碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用。其中对电网整体对材料的要求，材料部分的需求和装备的国内国际进展进行了细致介绍。他表示，预期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模块应当是可以达到应用水平，这样的话就是直流输电的话，灵活直流输电可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的应该可以达到应用水平，这样来说对电网的预期是整
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|爱思强电力

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    极智报告|爱思强电力
    德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|南京电子器

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    极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智访谈|泰科天润总

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    极智访谈|泰科天润总
    泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称“泰科天润”）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中6
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    limit2024-05-02 18:55

  • 极智报告|韩国岭南大

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    极智报告|韩国岭南大
    韩国岭南大学教授Ja-soon JANG 介绍了GaN基发光二极管器件可靠性特性分析方法技术报告。他表示，发光二极管（LED）技术已经迅速发展以满足LED应用领域的各种需求，如汽车照明，手术照明和IT可控智能照明。 随着LED的重要性越来越大，可靠性问题越来越重要。 他分享了最近的可靠性问题，并考虑到可以解决可靠性问题的可行方法。为此，我们从遗传个体和外部诱导的退化因素、复杂因素和触发因子等方面进行研究，新提出了影响LED可靠性行为的边界条件（芯片和封装之间）以及影响因素，以确保LED的哪些部分易受
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  • 极智报告|美国Wolfspe

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    极智报告|美国Wolfspe
    美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。
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