• 【极智课堂】李士颜:
    今天极智课堂邀请到中国电子科技集团第五十五研究所李士颜博士,分享《从特斯拉用碳化硅代替IGBT说起——碳化硅功率器件之新能源汽车应用及展望》主题报告
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  • 中科院电工所研究员温
    极智报告推荐:中科院电工所研究员温旭辉分享的《半导体功率模块在新能源汽车中应用》主题报告。更多精彩报告,请点击页面顶端下载极智头条APP,海量专业学术报告任性看!
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  • 极智报告|科锐中国市
    科锐中国市场推广部总监林铁先生分享了“大功率LED和COB器件技术发展”报告。 科锐作为全球大功率的整个国际上的领先者,其技术和产品研发一直都是业界关注的焦点。会上,林铁总监表示,大功率LED和COB器件在高端照明市场具备竞争优势。随着国家相关政策和产业发展趋势,大功率LED器件技术也在不断变革、细化、发展。器件的光效 、光输出、光学均匀性、性能都在不断提升。超大功率LED器件带来更高流明输出和光效。 科锐在LED器件领域又有重大突破,推出革新性的NX技术平台。该平台将为新一代照明级LED的创新发展,
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  • 极智报告|康美特总工
    北京康美特科技股份有限公司总工程师孙宏杰针对公司生产的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究现状和发展趋势”报告,报告指出康美特目前所具备的竞争优势:一是树脂的合成、纯化;二是添加剂的合成以及配方工艺及质量控制方面的优势。更多精彩报告,请关注下载极智头条APP!
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  • 极智高端访谈:深度对
    华普永明(股票代码:833888)致力于成为全球户外大功率LED照明行业领军企业,专注于为客户提供大功率LED灯具的设计和制造的一站式服务。2018年6月9-12日,华普永明携新品重装亮相光亚展,期间华普永明董事长陈凯接受极智头条访问,解读华普永明在产业环境不太乐观的情形下,华普永明逆势增长的秘密,解析LED户外大功率产品发展趋势与产业竞争格局。更多精彩观点,请点击浏览视频!
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  • 极智报告|日本Novel C
    日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告,分享了其最新研究成果。
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  • 极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器,吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容,介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人,主持开发了基于0.1um G
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  • 极智报告|河北半导体
    河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告,结合相关的试验数据,王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积,利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造,基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。
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  • 极智报告|日本大阪大
    该视频为:日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合,研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度,从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm,而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa,1000次热循环(-50-250 ℃)后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包
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  • 极智访谈|泰科天润总
    泰科天润半导体科技(北京)有限公司(以下简称“泰科天润”)是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一,致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4~6寸碳化硅器件量产线,可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表,其中6
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  • 极智报告|美国Wolfspe
    美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示,功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分,其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用,如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中,IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势,Si 功率器件正在接近他们的性能极限。
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  • 极智报告|加拿大多伦
    加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料,它能够提供与碳化硅(SiC)相似的性能优势,但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...
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