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黎明锴：基于二氧化锡
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黎明锴：基于二氧化锡
《基于二氧化锡的紫外光电探测器研究》作者：黎明锴，刘伯涵，肖兴林，魏皓然，刘凤新，李强，张兴业，陈粤，何云斌单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-05 17:27
程其进：氧化镓基日盲
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程其进：氧化镓基日盲
《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院
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limit2022-01-05 17:20
陆海：面向复杂电气应
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陆海：面向复杂电气应
《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-05 16:58
刘建勋：大尺寸硅基Ga
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刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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limit2022-01-05 16:49
马晓华：面向终端应用
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马晓华：面向终端应用
《面向终端应用的GaN射频芯片研究》作者：马晓华代讲：祝杰杰单位：西安电子科技大学
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limit2022-01-05 16:45
蒋迪：金属双面镜高性
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蒋迪：金属双面镜高性
《金属双面镜高性能表面等离激元激光器及其物理机制的研究》作者：蒋迪，陶涛，智婷，刘斌，张荣，郑有炓单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室、南京邮电大学
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limit2022-01-05 16:08
刘建平：大功率氮化镓
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刘建平：大功率氮化镓
《大功率氮化镓激光器研究进展》作者：刘建平单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:57
孙钱：硅衬底GaN基激
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孙钱：硅衬底GaN基激
《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
赵德刚：GaN材料碳杂
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赵德刚：GaN材料碳杂
《GaN材料碳杂质行为与激光器研究进展》作者：赵德刚单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-05 15:33
赵见国：非极性(11-20
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赵见国：非极性(11-20
《非极性(11-20)面P型GaN和全组分InGaN的MOCVD生长与研究》作者：赵见国，陈凯，胡文晓，宫毛高，刘斌，陶涛，谢自力，严羽，张
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limit2022-01-05 11:22
石芝铭：宽禁带III族
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石芝铭：宽禁带III族
《宽禁带III族氮化物中点缺陷单光子发射的理论研究》作者：石芝铭，臧行，齐占斌，孙晓娟，黎大兵单位：中科院长春光学精密机械
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limit2022-01-05 11:09
陈荔：基于高温热退火
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陈荔：基于高温热退火
《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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limit2022-01-05 11:02
许福军：AlGaN基深紫
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许福军：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
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limit2022-01-05 09:53
黎大兵：AlN基宽禁带
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黎大兵：AlN基宽禁带
《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
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limit2022-01-05 09:19