《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学

《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院

《GaN微波毫米波器件新进展》作者：张凯，朱广润，代鲲鹏，贾晨阳，房柏彤，李传浩，周浩，孙岩，吴立枢，程钰杰，王伟凡，李忠辉，陈堂胜单位：南京电子器件研究所，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院

《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者：刘斌，许非凡，余俊驰，陶涛，陆海，陈敦军，张荣单位：南京大

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院