加快碳化硅芯片和电力电子器件的商业化发展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美国PowerAmerica执行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授、IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

大直径碳化硅外延市场发展与挑战Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial张国良河北普兴电子科技股份有限公司市场总监ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

碳化硅单晶缺陷研究及产业化进展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陈秀芳山东大学教授、南砂晶圆董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

提拉式物理气相传输法制备碳化硅单晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝东浙江大学教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University

碳化硅产业的机遇与挑战周晓阳广东芯聚能半导体有限公司总裁

安世碳化硅，绿色出行和绿色能源发展的助推器王骏跃安世半导体中国区SiC战略及业务负责人

SiC MOS在新能源汽车充电桩中的技术进展及应用田亮南瑞联研半导体有限责任公司碳化硅产品线负责人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd

电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress刘斯扬东南大学教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用陆海镓敏光电董事长、南京大学教授LU HaiProfessor of Nanjing University

碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨台达电子高阶客制电源事业部中国区总监Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University

第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

碳化硅大规模商业化：现状与障碍SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授

株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；

瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；

高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。

美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；

矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种