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  • 台达电子董慨：碳化硅

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    台达电子董慨：碳化硅
    碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨台达电子高阶客制电源事业部中国区总监Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
    113300
    guansheng2023-05-19 09:03

  • 正通远恒总经理刘兵武

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    正通远恒总经理刘兵武
    定量阴极发光CL技术在氮化物半导体中的应用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors刘兵武北京正通远恒科技有限公司总经理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
    112400
    guansheng2023-05-19 08:55

  • 武汉大学工业科学研究

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    武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53

  • 南京大学教授修向前：

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    南京大学教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    82100
    guansheng2023-05-18 16:18

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

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    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    99300
    limit2022-01-31 13:44

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    131900
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】敖

    23130

    【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】苏

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    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】中

    12680

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

    9650

    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】河

    12590

    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告】英诺赛科

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    【视频报告】英诺赛科
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
    45000
    limit2021-04-26 15:05

  • 【视频报告】北京大学

    13220

    【视频报告】北京大学
    北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。
    132200
    limit2020-02-02 16:27

  • 【视频】西安交通大学

    15350

    【视频】西安交通大学
    西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。
    153500
    limit2020-02-01 16:25

  • 英诺赛科科技有限公司

    54050

    英诺赛科科技有限公司
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
    540500
    limit2019-12-31 12:38

  • 英诺赛科研发中心副总

    22280

    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
    222800
    limit2019-12-30 13:03

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