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上海科技大学信息学院
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上海科技大学信息学院
基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零检测技术王浩宇上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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guansheng2023-05-19 09:09
沛塬电子市场产品总监
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沛塬电子市场产品总监
基于宽禁带器件的高频大功率模组应用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device刘正阳上海沛塬电子有限公司市场产品总监Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD
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guansheng2023-05-19 09:06
北京大学副教授许福军
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北京大学副教授许福军
AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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guansheng2023-05-19 08:51
南京大学教授修向前：
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南京大学教授修向前：
基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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guansheng2023-05-18 16:18
复旦大学张园览：基于
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复旦大学张园览：基于
基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University
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limit2022-05-01 20:24
【视频报告 2018】基
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【视频报告 2018】基
深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
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limit2021-04-29 12:26
【视频报告 2018】Vic
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【视频报告 2018】Vic
美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；
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limit2021-04-29 12:26
【视频报告 2018】西
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【视频报告 2018】西
西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
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limit2021-04-29 12:21
【视频报告 2018】敖
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【视频报告 2018】敖
日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【视频报告 2018】中
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【视频报告 2018】中
中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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limit2021-04-29 12:20
【视频报告 2018】台
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【视频报告 2018】台
【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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limit2021-04-29 12:20
【视频报告 2018】日
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【视频报告 2018】日
日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
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limit2021-04-29 12:06
【视频报告 2018】北
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【视频报告 2018】北
垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
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limit2021-04-29 12:05
【视频报告 2019】河
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【视频报告 2019】河
河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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limit2021-04-29 10:46
【视频报告】英诺赛科
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【视频报告】英诺赛科
英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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limit2021-04-26 15:05
美国NAURA-Akrion, In
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美国NAURA-Akrion, In
美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
英诺赛科科技有限公司
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英诺赛科科技有限公司
英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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limit2019-12-31 12:38
英诺赛科研发中心副总
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英诺赛科研发中心副总
英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
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limit2019-12-30 13:03
中国科学院微电子研究
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中国科学院微电子研究
中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
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limit2018-02-01 10:49