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荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA：宽禁带功率半导体国际技术路线图

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台湾科技大学Hung-Wei CHEN：照明光对人体昼夜节律影响之研究

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意大利ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO：工业4.0：对于电子工业和产品的大好时机

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中国工程院院士陈良惠：固态照明的历史使命与紫外LED的新机遇

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英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇：硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战

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德国爱思强股份有限公司Vincent MERIC：化合物半导体外延量产解决方案

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长治市第三代半导体紫外LED产业发展规划

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英国纽卡斯尔大学视觉神经科学教授Anya HURLBERT：不同光谱对人类健康的影响

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【视频报告】郑州大学Mussaab I. NIASS：蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响

【视频报告】郑州大学Mussaab I. NIASS：蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响

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【视频报告】俄罗斯STR Group Andrey SMIRNOV：碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟

【视频报告】俄罗斯STR Group Andrey SMIRNOV：碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟

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郑州大学副教授杨珣：金刚石深紫外光电探测器研究
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郑州大学副教授杨珣：金刚石深紫外光电探测器研究
金刚石深紫外光电探测器研究Deep ultraviolet photodetectors based on diamond杨珣郑州大学副教授YANG XunProfessor of Zhengzhou University
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guansheng2023-05-19 14:42
大连理工大学副教授张赫之：利用高Al组分β-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量β-Ga2O3厚膜
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大连理工大学副教授张赫之：利用高Al组分β-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量β-Ga2O3厚膜
利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology
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guansheng2023-05-19 14:41
西安电子科技大学张金风教授：MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术
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西安电子科技大学张金风教授：MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术
MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
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guansheng2023-05-19 14:40
中国电科首席科学家冯志红：金刚石微波功率器件进展
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中国电科首席科学家冯志红：金刚石微波功率器件进展
金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute
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guansheng2023-05-19 14:37
南京大学汪正鹏：NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制
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南京大学汪正鹏：NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制
NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes汪正鹏南京大学Zhengpeng WangNanjing University
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guansheng2023-05-19 14:35
湖北大学何云斌教授：MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究
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湖北大学何云斌教授：MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究
MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University
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guansheng2023-05-19 14:23
复旦大学微电子学院教授卢红亮：Ga2O3光电二极管的可控制备及应用
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复旦大学微电子学院教授卢红亮：Ga2O3光电二极管的可控制备及应用
Ga2O3光电二极管的可控制备及应用Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes卢红亮复旦大学微电子学院教授LU HongliangProfessor of Fudan University
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guansheng2023-05-19 14:22
中国科学院半导体所研究员张兴旺：超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件
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中国科学院半导体所研究员张兴旺：超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件
超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-19 14:21
北京大学工学院特聘研究员宋柏：超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体
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北京大学工学院特聘研究员宋柏：超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体
超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大学工学院特聘研究员SONG BaiProfessor of Peking University
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guansheng2023-05-19 14:21
国家纳米科学中心研究员刘新风：利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率
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国家纳米科学中心研究员刘新风：利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率
利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy刘新风国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-19 14:20
西安电子科技大学韩根全教授：氧化镓异质结功率晶体管
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西安电子科技大学韩根全教授：氧化镓异质结功率晶体管
氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
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guansheng2023-05-19 14:19
中山大学佛山研究院院长王钢教授：新型宽禁带压电半导体材料ε-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用
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中山大学佛山研究院院长王钢教授：新型宽禁带压电半导体材料ε-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用
新型宽禁带压电半导体材料-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王钢中山大学佛山研究院院长，中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor
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guansheng2023-05-19 14:17
沙特阿卜杜拉国王科技大学陆义：面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜
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沙特阿卜杜拉国王科技大学陆义：面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜
面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李晓航沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授（陆义代讲）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology
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guansheng2023-05-19 14:15
西安电子科技大学周弘教授：氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究
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西安电子科技大学周弘教授：氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究
氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices张进成西安电子科技大学副校长、教授（团队代讲）
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guansheng2023-05-19 14:08
镓敏光电董事长、南京大学教授陆海：氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用
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镓敏光电董事长、南京大学教授陆海：氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用
氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用陆海镓敏光电董事长、南京大学教授LU HaiProfessor of Nanjing University
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guansheng2023-05-19 12:02
第八届国际第三代半导体论坛开幕式嘉宾致辞
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第八届国际第三代半导体论坛开幕式嘉宾致辞
全球产业链顶级智囊汇聚苏州共议第三代半导体产业新风向第八届国际第三代半导体论坛暨第十九届中国国际半导体照明论坛在苏州盛大召开2月8日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在苏州盛大开幕。在这场被视为全球第三代半导体行业风向标的盛会上，大会主席、全国政协教科卫体委员会副主任、科技部原副部长曹健林，中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁，中国科学院院士、南昌大学副校
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guansheng2023-05-19 09:55
天马微电子秦锋：Micro-LED显示产业化进展与挑战
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天马微电子秦锋：Micro-LED显示产业化进展与挑战
Micro-LED 显示产业化进展与挑战秦锋天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 09:53
蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监李道会：宽禁带半导体助推电动汽车进程
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蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监李道会：宽禁带半导体助推电动汽车进程
宽禁带半导体助推电动汽车进程Wide Bandgap Devices Empower Vehicle Electrification李道会--蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监
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guansheng2023-05-19 09:50
美国工程院院士Fred LEE教授： Is WBG a Game Changer for Power Electronics Industry
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美国工程院院士Fred LEE教授： Is WBG a Game Changer for Power Electronics Industry
Is WBG a Game Changer for Power Electronics IndustryFred LEE美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士Fred LEEDistinguished Professor Emeritus at Virginia Tech, USA; Member of the National Academy of Engineering (USA), Member of National Academy of Inventors (USA), Foreign Member of Chinese Academy of Engineering
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guansheng2023-05-19 09:43
中国电子科技集团首席专家柏松：SiC功率MOSFET技术及应用进展
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中国电子科技集团首席专家柏松：SiC功率MOSFET技术及应用进展
SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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guansheng2023-05-19 09:39

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