2025功率半导体器件与集成电路会议 （CSPSD 2025)

 5月23-24日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）在南京举办。会议围绕宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等产业链各环节中的诸多关键问题，多方优势力量强强联合，专家齐聚，携手促进功率半导体全产业链协同发展。

 从硅到宽禁带半导体材料，不断提升性能和应用范围，推动半导体行业的不断进步。技术创新驱动性能迭代，国产碳化硅器件的市场应用也已从单一领域向多行业扩展，碳化硅产业链正加速国产化替代进程，展现出强劲的发展潜力和市场竞争力。随着材料科学和制造工艺的持续进步，功率半导体器件将进一步迈向高性能、高可靠性的境界。GaN和SiC材料的应用将更加广泛。 

 氮化镓作为第三代半导体的核心材料之一，凭借大禁带宽度、高电子迁移率和良好热导率等诸多优异特性，在功率器件领域正展现出前所未有的巨大应用潜力。特别是在新能源汽车和AI数据中心等前沿领域，氮化镓技术已成为实现电能高效转换的关键突破口。与此同时，超宽禁带功率器件作为新一代半导体技术的核心方向，凭借其大禁带宽度、高击穿电场、低能耗等优势在多个高精尖领域有巨大应用潜力，发展备受关注，器件性能、关键技术等在不断进步。 

  5月22-24日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）将于南京举办。会议设有开幕大会&主旨报告以及4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。累计超60位嘉宾&报告人参与分享，目前详细日程出炉！

 5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。会议设有开幕大会&主旨报告，以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用，超宽禁带材料、器件及集成应用，功率集成交叉与应用，先进封装与异构集成等4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。截至目前，已确认累计超60位嘉宾&报告人参与分享，目前详细日程出炉！详情如下：

2025年5月22-24日，“2025中国功率半导体器件与集成电路会议 （CSPSD 2025)”将在中国南京举办。会议设有开幕大会&主旨报告，以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用，超宽禁带材料、器件及集成应用，功率集成交叉与应用，先进封装与异构集成等4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。目前最新报告嘉宾公布，会议详情如下：

 β-Ga₂O₃在材料方面优越的特性使其在电力电子器件等诸多领域有着重要的应用价值。但在功率器件应用中β-Ga₂O₃材料仍然存在着p型β-Ga₂O₃材料的研究没有获得有效的进展，且理论预测其p型掺杂难以实现，以及热导率较低等问题需要解决。

 届时，南京邮电大学副教授将受邀出席会议，并带来《智能TCAD技术—AI赋能微纳电子器件的仿真、建模与设计》的主题报告，将分享最新研究进展与成果，敬请关注！ 

 上海大学微电子学院副教授任开琳将受邀出席会议，并带来《E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究》的主题报告，将分享最新研究进展与成果，敬请关注！ 

 东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！ 

 届时，复旦大学智能机器人与先进制造创新学院副教授刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

 届时，中国科学技术大学教授杨树将受邀出席会议，并带来《高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！ 

 西安电子科技大学副校长张进成将受邀出席会议，并带来《镓系半导体功率器件研究进展》的大会报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

 东南大学集成电路学院教授刘斯扬将受邀出席会议，并带来《功率半导体集成技术研究进展》的大会报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

 香港大学教授张宇昊将受邀出席会议，并带来《GaN和Ga2O3中的多维器件：超结、多沟道和FinFET》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！ 

 英诺赛科（苏州）半导体有限公司产品应用经理孟无忌将受邀出席会议，并带来《Inno GaN“上车”之路——氮化镓在电动汽车中应用方案与优势》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！ 

 电子科技大学集成电路科学与工程学院  教授/博导明鑫将受邀出席论坛，并带来《面向AI服务器电源的低压GaN驱动电路设计挑战》的大会报告，报告将重点围绕低压GaN的驱动应用展开讨论，敬请关注！

 山东大学新一代半导体材料研究院研究员、博士生导师、泰山学者特聘专家，山东大学仲英青年学者彭燕将受邀出席论坛，并带来《基于金刚石/碳化硅新型异质散热结构的器件应用研究》的大会报告，将分享最新研究成果，敬请关注！

 中国科学技术大学研究员徐光伟将受邀出席会议，并带来《  基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究》的主题报告，基于氧化镓（β-Ga₂O₃）的功率器件研究近年来围绕掺杂调控与缺陷工程取得显著进展，报告将分享最新研究成果，敬请关注！

 浙江大学电气工程学院研究员王珩宇将受邀出席论坛，并带来《碳化硅功率器件空间电荷补偿技术》的大会报告，将探讨碳化硅器件中电荷补偿技术的实现路径、关键挑战和研究进展，敬请关注！

 中国电子科技集团公司第四十六研究所研究员兰飞飞将受邀出席论坛，并带来《金刚石材料研究进展》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 扬州扬杰电子科技股份有限公司功率器件事业部副总经理施俊将受邀出席论坛，并带来《SiC功率器件的技术发展和应用，面临挑战和未来趋势》的大会报告，分享最新趋势，敬请关注！

 北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展》的大会报告，国联万众主要在晶圆加工和模块封装测试进行布局，具备完善的6英寸SiC功率芯片量产生产线，8英寸芯片研发线也将在2025年第四季度完成升级通线。

 北京智慧能源研究院功率半导体研究所测试研究室主任陈中圆将受邀出席论坛，并带来《基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 镓和半导体董事长、南京邮电大学教授唐为华将受邀出席论坛，并带来《超宽禁带半导体氧化镓材料与器件研究进展》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 南京大学电子科学与工程学院，教授/副院长陈敦军将受邀出席论坛，并带来《p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 山东大学集成电路学院/晶体材料全国重点实验室教授、博士生导师刘超将受邀出席论坛，并带来《1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 电子科技大学教授章文通将受邀出席论坛，并带来《基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术》的主题报告。分享最新研究成果，敬请关注！

 九峰山实验室功率器件负责人、碳化硅首席专家袁俊将受邀出席论坛，并带来《新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究》的主题报告。

 南京氮矽科技有限公司/总经理罗鹏将受邀出席论坛，并带来《集成驱动氮化镓芯片的必要性与发展趋势》的主题报告。

 深圳大学功率半导体器件及AI能源监测工程技术研究所所长，材料学院、射频异质异构集成全国重点实验研究员刘新科将受邀出席论坛，并带来《低成本GaN基GaN功率器件》的主题报告。

 南京第三代半导体技术创新中心有限公司研发总监李士颜将受邀出席论坛，并带来《新一代SiC功率MOSFET产品研制进展》的主题报告。报告将介绍国际上SiC电力电子芯片及模块的研究现状及趋势

 江苏超芯星半导体有限公司创始人兼董事长刘欣宇将受邀出席论坛，并带来《破界·赋能·引领——化学气相法碳化硅衬底技术创新开启未来产业新纪元》的主题报告，敬请关注！

 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将受邀出席论坛，并带来《宽禁带半导体3D集成技术》的主题报。报告将围绕材料异质集成、器件3D集成与功能模块3D集成三大方向展开分析，分享最新研究成果，敬请关注！

 西安电子科技大学教授赵胜雷将受邀出席论坛，并带来《GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报。介绍高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！

江南大学教授/博导黄伟将受邀出席论坛，并带来《高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究》的主题报告，将聚焦宇航电子领域对高可靠功率器件的迫切需求，分享相关最新研究成果，敬请关注！

 济南大学信息科学与工程学院，系主任张春伟将受邀出席论坛，并分享《场板技术中的电场调制机制：基于电荷的视角》的主题报告，从电荷的角度研究场板的工作机理，提高场板技术的效果，分享最新研究成果，敬请关注！

 工业和信息化部电子第五研究所高级工程师施宜军将受邀出席论坛，并分享《P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

 南京大学副研究员周峰将受邀出席论坛，并分享《氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究》的主题报告，分享最新研究成果以及思路探索，敬请关注！

 南京大学电子科学与工程学院副院长、教授叶建东将受邀出席论坛，并分享《氧化镓异质结构与器件》的主题报告，将介绍南京大学团队在氧化镓超宽禁带半导体材料与器件方面的研究进展，同时展望超宽禁带半导体领域的关键挑战，敬请关注！

 上海新微半导体有限公司总经理王庆宇将受邀出席论坛，并分享《氮化镓赋能未来：突破功率极限，开启能效革命》的主题报告，将聚焦于 GaN 在能效提升进程中的关键角色，深度剖析如何借助这一技术，开启各类终端应用能源管理的革新之旅敬请关注！

 爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员王鹤鸣将受邀出席论坛，并分享《面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新》的主题报告，敬请关注！

 北京昕感科技（集团）副总、功率模块事业部负责人李道会将受邀出席论坛，并分享《面向车规应用的功率之”芯”SiC及封装技术挑战》的主题报告，敬请关注！

 北京大学研究员、博士生导师魏进将受邀出席论坛，并分享《GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压》的主题报告，将讨论抑制动态电阻漂移的主要手段及一种新型思路，并将探讨动态阈值电压对电路可靠性带来的巨大挑战及其解决方案等内容，敬请关注！

 广东工业大学副教授周贤达将受邀出席论坛，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性开关》的主题报告，敬请关注！

 通富微电子股份有限公司/通富研究院Power技术中心负责人邢卫兵受邀将出席论坛，并分享《新能源时代半导体封测技术与趋势》的主题报告，将围绕汽车半导体封装趋势等分享探讨。敬请关注！

 炽芯微电子科技（苏州）有限公司董事长&总经理朱正宇受邀将出席论坛，并分享《功率器件封装技术的发展及展望》的主题报告，将分享涉及散热性能、可靠性、智能化等相关最新趋势，敬请关注！

 中国科学院微电子研究所，研究员黄森将受邀出席论坛，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成》的主题报告。报告将详细介绍如何提高自主超薄势垒AlGaN(<6 nm)/GaN增强型MIS-HEMT的可靠性，同时探讨其与GaN基功率和驱动控制电路集成的可行性，敬请关注！

 电子科技大学，教授乔明将受邀出席论坛，并分享《用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战》的主题报告。报告将面向DrMOS的发展趋势与技术挑战，分析DrMOS中核心的硅基功率分立器件、集成器件以及第三代半导体氮化镓的电学特性，探讨载流子浓度、迁移率、寄生电容等参数的折衷关系，延续摩尔定律在高频、高效与高可靠功率器件及集成技术领域的发展。敬请关注。 

 江苏超芯星半导体有限公司将亮相此次会议。届时，超芯星半导体创始人兼董事长刘欣宇将受邀出席会议，并带来《破界·赋能·引领——化学气相法碳化硅衬底技术创新开启未来产业新纪元》的主题报告！值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚盛会，莅临展位参观交流、洽谈合作。 

 苏州镓和半导体有限公司作为协办单位将亮相会议。届时，镓和半导体董事长、南京邮电大学唐为华教授将受邀出席论坛，并带来《超宽禁带半导体氧化镓材料与器件研究进展》的大会报告。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚盛会，莅临展位参观交流、洽谈合作。

 扬州扬杰电子科技股份有限公司作为协办单位将亮相此次会议。届时，扬杰科技功率器件事业部副总经理施俊将受邀出席会议，并带来《SiC功率器件的技术发展和应用，面临挑战和未来趋势》的大会报告！值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临展位参观交流、洽谈合作。

 ULVAC爱发科集团将亮相此次会议。届时，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员王鹤鸣将受邀出席论坛，并分享《面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新》的主题报告！值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚盛会，莅临展位参观交流、洽谈合作。  

 南京邮电大学南通研究院作为协办单位将亮相此次会议。届时，南京邮电大学南通研究院执行副院长姚佳飞将分享《碳化硅功率器件高K介质调制技术》主题报告。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚省会，莅临展位参观交流、洽谈合作。

 北京国联万众半导体科技有限公司将携多款产品亮相此次会议。届时，北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将出席会议，并带来《SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展 》的主题报告。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚盛会，莅临展位参观交流、洽谈合作。  

 深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的国家级高新技术企业。致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司目前已授权专利 29 项，软件著作权 14 项，是国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

 2025年5月22-24日 “2025中国功率半导体器件与集成电路会议 （CSPSD 2025)”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。