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2023】中南大学孙国辽博士:高性能功率器件封装互连方法研究进展
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2023长沙站:聚焦碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术进展
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2023长沙站:氮化镓、氧化镓及其他新型半导体技术进展探讨
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2023】泰科天润董事长陈彤:碳化硅行业规模化发展的谜题与难题
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2023】天科合达彭同华:碳化硅材料技术产业现状与新趋势
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2023】复旦大学教授张清纯:碳化硅器件微型化现状及发展趋势
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2023】中电科第四十八研究所巩小亮:碳化硅芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展
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2023】2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛长沙召开
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2023前瞻| 湖南大学教授尹韶辉:碳化硅晶圆减薄装备技术现状及发展趋势
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2023前瞻| 恒普真空科技:碳化硅长晶用碳化钽技术
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2023前瞻| 高视半导体:SIC晶圆全制程质量控制解决方案
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2023前瞻| 德智新材:半导体设备用SiC零部件开发及应用
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2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan:基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
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2021】复旦大学樊嘉杰:SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
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2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
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2021】中电科十三所郭建超:金刚石微波功率器件研究
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2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术进展
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2021】西安交通大学李强:大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
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2021】安徽芯塔电子科技倪炜江:高性能高压SiC器件设计与技术
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2021】奥趋光电吴亮:AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
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2021】中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
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2021】南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
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2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展
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2021】唐晶量子龚平:6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
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2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
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2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:氧化镓功率器件制备与封装技术
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2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
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2021】南砂晶圆彭燕:碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
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2021】西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
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2021】南京航空航天大学张之梁:1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
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