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瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件新进展！
 评论 ⋅  2025-05-24 16:03
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
中南大学何军、钟绵增，浙江大学李京波：通过调控电场分布实现高均匀性的耐高压晶圆级4H-SiC紫外光电探测器
 评论 ⋅  2025-04-08 15:28
闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
超高压碳化硅大功率芯片项目签约
 评论 ⋅  2025-03-19 14:22
超高压碳化硅大功率芯片项目成功签约！
 评论 ⋅  2025-03-18 16:00
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 16:31
重大突破！吉林大学领衔，高压人工合成出陨石中的超级钻石“六方金刚石”
 评论 ⋅  2025-02-14 08:37
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
国产芯片！红旗发布了首台1700V超高压碳化硅功率模块样品
 评论 ⋅  2024-10-18 16:54
是德科技推出适用于功率半导体的 3kV高压晶圆测试系统
 评论 ⋅  2024-10-11 17:22
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队：积沙成塔，用“芯”取得新突破
 评论 ⋅  2024-06-14 10:46
CASICON晶体大会前瞻|上海交通大学王亚林：高压SiC功率模块封装、测试及应用研究
 评论 ⋅  2024-06-05 15:50
CSPSD 2024论坛2：追踪高压器件设计、集成及封装应用发展趋势
 评论 ⋅  2024-04-29 07:15
百识电子完成A+轮融资，加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局
 评论 ⋅  2024-03-11 16:25
斯达微电子高压特色工艺功率芯片和SIC芯片项目设备搬入
 评论 ⋅  2024-02-01 14:24
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
新疆首个高压电力电子实验室投入使用
 评论 ⋅  2024-01-05 14:41
智己汽车联席CEO刘涛：2024，决战智能化！
2024智能化智能化智己小米汽车刘涛900V高压平台800V
 评论 ⋅  2024-01-03 08:34
新疆首个高压电力电子实验室投入使用
 评论 ⋅  2023-12-28 17:32
小米发布 800V 碳化硅高压平台：最高电压 871V，电池续航可超 1000km
 评论 ⋅  2023-12-28 14:36
东南大学溧阳研究院中标《高压碳化硅功率模组封装与集成技术研究服务》项目
 评论 ⋅  2023-11-10 16:20
有研硅：主要用于高压IGBT的8英寸区熔硅片已进入客户验证阶段
 评论 ⋅  2023-08-25 10:14
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