斯达微电子高压特色工艺功率芯片和SIC芯片项目设备搬入

日期:2024-02-01 阅读:253
核心提示:中电二公司2月1日消息显示,其承建的嘉兴斯达微电子有限公司高压特色工艺功率芯片和SIC芯片研发及产业化项目FAB2首台设备搬入仪

 中电二公司2月1日消息显示,其承建的嘉兴斯达微电子有限公司高压特色工艺功率芯片和SIC芯片研发及产业化项目FAB2首台设备搬入仪式近日顺利举行。

据介绍,浙江嘉兴斯达微电子有限公司高压特色工艺功率芯片和SIC芯片研发及产业化项目位于浙江嘉兴南湖区,总投资1.3亿元,项目拟通过新建厂房、洁净车间及动力站、气站、仓库等配套设施,用于实施高压特色工艺功率芯片的研发和产业化项目,具有科技含量高、产品应用前景广、国产替代实力强等优势。

 

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