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总投资约300亿元,重庆8英寸
碳化硅
项目2月底通线投片!
派恩杰“一种
碳化硅
晶圆衬底的制备方法及
碳化硅
晶圆衬底”专利公布
碳化硅
衬底龙头天岳先进拟港股上市
烁科晶体:全球首发12英寸(300mm)高纯半绝缘
碳化硅
衬底
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的
碳化硅
单晶柔性膜专利,实现
碳化硅
薄膜高效剥离且无损伤
浙江材孜科技取得
碳化硅
单晶生长装置专利,有利于生长空间的稳定性
派恩杰“一种
碳化硅
晶圆衬底的制备方法及
碳化硅
晶圆衬底”专利公布
华为申请
碳化硅
衬底制备方法专利,使
碳化硅
衬底内部应力分布均匀
长飞先进武汉
碳化硅
基地设备进场
上海积塔半导体申请
碳化硅
晶体管结构及其制备方法专利,有效降低器件VFSD
年产36万片,武汉一6寸
碳化硅
晶圆项目,首批设备搬入
金信新材料芯片用8英寸
碳化硅
晶锭项目完成研发
金信新材料芯片用第三代半导体8英寸
碳化硅
晶锭项目新进展
突发!北京这家明星
碳化硅
企业,破产清算!
天岳先进携12英寸导电N型
碳化硅
衬底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先进
SEMICON
JAPAN
碳化硅
SiC
12英寸
碳化硅衬底
总投资约2.3亿元,赛美泰克IGBT及
碳化硅
产线核心设备项目持续刷新纪录
雷诺与意法半导体签署
碳化硅
长期供应协议
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向
碳化硅
MOSFET”专利获授权
三安光电林志东:8英寸
碳化硅
拟明年通线量产
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向
碳化硅
MOSFET”专利获授权
安森美将收购
碳化硅
JFET技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合
碳化硅
功率器件及其封装技术(二)|IFWS&SSLCHINA2024
超芯星入驻江北新区集成电路基地,全面开启8英寸
碳化硅
单晶衬底量产
碳化硅
功率器件及其封装技术发展探讨(一)|IFWS&SSLCHINA2024
Victor Veliadis教授:加速
碳化硅
芯片和功率电子的商业化进程
哈尔滨工业大学在
碳化硅
集成光量子纠缠器件领域取得新突破
康美特庞凯敏:高可靠性
碳化硅
IGBT器件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
海外首发!天岳先进300mmN型
碳化硅
衬底全新亮相
近5亿,上海林众电子
碳化硅
相关项目正式启用
【IFWS2024】
碳化硅
功率器件及其封装技术分会日程出炉
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