首页 > 新闻资讯 > 搜索
博蓝特闯关IPO：报告期内被指估值非理性暴增｜IPO研究院
 评论 ⋅  2021-02-05 18:13
中国科学院上海硅酸盐研究所成功研制新型半导体柔性透明储能器件
 评论 ⋅  2021-02-02 15:02
汽车半导体行业深度研究：硅含量拆解分析
 评论 ⋅  2021-02-01 17:19
福建物构所高性能层状杂化钙钛矿铁电半导体研究获进展
 评论 ⋅  2021-01-26 09:52
无惧高温！日本研究开发基于GaN的MEMS谐振器
 评论 ⋅  2021-01-25 12:41
我国在氮化镓界面态研究方面取得重大突破
 评论 ⋅  2021-01-21 16:59
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
微电子所氮化镓界面态
 评论 ⋅  2021-01-18 08:31
睿创微纳入局高端特色芯片：拟2.6亿投资设立半导体研究院
 评论 ⋅  2021-01-15 17:51
杭可科技：固态电池技术尚未成熟，仍处于科学研究阶段
 评论 ⋅  2021-01-14 10:38
功率半导体行业研究：景气向上，国产化替代正当时
 评论 ⋅  2021-01-11 09:56
中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
中兴通讯蔡小龙：针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析研究
 评论 ⋅  2020-12-11 16:17
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
第三代半导体之SiC研究：美国一家独大
 评论 ⋅  2020-12-10 11:25
河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
中科院宁波材料技术与工程研究所郭炜：铝镓氮深紫外量子阱及LED，斜切角衬底及横向极性畴的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-08 15:58
中科院半导体研究所研究员闫建昌：氮化物深紫外LED研发方向，从二维材料到纳米结构
 评论 ⋅  2020-12-08 15:50
研究报告：半导体深度研究报告之模拟芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:55
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部