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中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
中兴通讯蔡小龙：针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析研究
 评论 ⋅  2020-12-11 16:17
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
第三代半导体之SiC研究：美国一家独大
 评论 ⋅  2020-12-10 11:25
河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
中科院宁波材料技术与工程研究所郭炜：铝镓氮深紫外量子阱及LED，斜切角衬底及横向极性畴的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-08 15:58
中科院半导体研究所研究员闫建昌：氮化物深紫外LED研发方向，从二维材料到纳米结构
 评论 ⋅  2020-12-08 15:50
研究报告：半导体深度研究报告之模拟芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:55
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应研究
 评论 ⋅  2020-12-07 16:13
电子科技大学刘成艺：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:58
佛山市香港科技大学赵惠珊：PWM脉冲驱动模式下UVLED动态结温的无量纲化拟合研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:45
中国科学院特聘研究员李晋闽：“新冠疫情”下紫外LED产业发展机遇与趋势
 评论 ⋅  2020-11-25 13:35
第三代半导体发展研究
 评论 ⋅  2020-11-02 15:21
首个微芯片内集成液体冷却系统问世
冷却芯片洛桑系统研究人员电子设备
 评论 ⋅  2020-09-11 01:41
美国研究人员发现要想做一个更好的传感器只需添加背景噪声
信号传感器噪声微弱阈值宾夕法尼亚
 评论 ⋅  2020-09-11 01:28
浪潮AI加速中国顶尖语言声学研究
语音声学实验室研究项目训练
 评论 ⋅  2020-09-03 01:16
研究机构：二季度全球NAND闪存销售额145亿美元 环比增长6.5%
闪存需求二季度研究机构增加全球
 评论 ⋅  2020-09-02 02:14
紫光同创PGL22G开发平台试用连载[研究一：利用uart接口进行读写寄存器]
寄存器串口调试读写实验利用
 评论 ⋅  2020-08-31 03:34
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