新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
天岳先进
长电科技
华为
晶盛机电
产业基地
芯
半导体
赛微电子
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
博蓝特闯关IPO:报告期内被指估值非理性暴增|IPO
研究
院
中国科学院上海硅酸盐
研究
所成功研制新型半导体柔性透明储能器件
汽车半导体行业深度
研究
:硅含量拆解分析
福建物构所高性能层状杂化钙钛矿铁电半导体
研究
获进展
无惧高温!日本
研究
开发基于GaN的MEMS谐振器
我国在氮化镓界面态
研究
方面取得重大突破
微电子所在氮化镓界面态
研究
方面取得进展
微电子所
氮化镓
界面态
睿创微纳入局高端特色芯片:拟2.6亿投资设立半导体
研究
院
杭可科技:固态电池技术尚未成熟,仍处于科学
研究
阶段
功率半导体行业
研究
:景气向上,国产化替代正当时
中电科55所李士颜博士:碳化硅功率MOSFET
研究
进展
深圳第三代半导体
研究
院杨安丽:抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
华北电力大学李学宝:高压SiC器件中的封装绝缘问题
研究
浙江大学任娜:SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的
研究
中山大学黎城朗:凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响
研究
中国空间技术
研究
院北京卫星制造厂郑岩:宽禁带功率器件的宇航应用技术
中科院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所周宇:硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
南方科技大学于洪宇:Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术
研究
进展
中国电科十三所王元刚:高性能Ga2O3,SBD功率器件
研究
上海光学精密机械
研究
所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
中科院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所吴林枫:基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
中兴通讯蔡小龙:针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析
研究
南方科技大学汪青:Si基GaN射频器件的关键技术
研究
进展
中电化合物半导体唐军:SiC基GaN射频材料热阻
研究
进展
第三代半导体之SiC
研究
:美国一家独大
河北半导体
研究
所周幸叶:紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
中科院宁波材料技术与工程
研究
所郭炜:铝镓氮深紫外量子阱及LED,斜切角衬底及横向极性畴的影响
研究
中科院半导体
研究
所
研究
员闫建昌:氮化物深紫外LED研发方向,从二维材料到纳米结构
研究
报告:半导体深度
研究
报告之模拟芯片
南方科技大学孙小卫:量子点显示技术
研究
进展
第
23
页/共
25
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部