首页 > 新闻资讯 > 搜索
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
国际首次 | β相氧化镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
 评论 ⋅  2022-01-19 11:23
Novel Crystal Technology宣布开发出世界第一款安培级1200 V耐压的“氧化镓肖特基势垒二极管”
 评论 ⋅  2021-12-27 18:21
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
中科大在日盲紫外探测领域取得新进展
中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组氧化镓日盲探测器研究
 评论 ⋅  2021-10-26 14:18
郑州大学物理学院在氧化镓基日盲光电探测方面取得进展
郑州大学物理学院氧化镓基日盲光电探测
 评论 ⋅  2021-10-26 14:12
下一代半导体：越走越“宽”，还是越“窄”？
半导体氧化镓金刚石氮化铝镓窄带半导体
 评论 ⋅  2021-09-30 18:18
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
【CASICON 2021】南京大学叶建东：氧化镓双极型异质结功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵：低成本高性能氧化镓功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:32
CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化镓半导体功率电子器件
 评论 ⋅  2021-09-08 11:49
CASICON 2021前瞻：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-07 17:34
浙大杭州科创中心获得首批氧化镓单晶衬底
 评论 ⋅  2021-08-26 16:41
洪泰基金领投 “氧化镓”材料产业化先行者铭镓半导体完成数千万元Pre-A轮融资
洪泰基金领投氧化镓铭镓半导体Pre-A轮融资
 评论 ⋅  2021-08-20 11:12
日本Novel Crystal宣布量产4英寸氧化镓(Ga2O3) 晶圆
 评论 ⋅  2021-07-13 10:21
第四代半导体氧化镓的机遇和挑战
 评论 ⋅  2021-02-03 15:02
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
日本国立佐贺大学郭其新：超宽带隙氧化镓的低温生长和表征
 评论 ⋅  2020-12-11 15:32
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部