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碳化硅功率器件
技术
综述与展望
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
武汉大学研究员袁超将2022第三代半导体器件与封装
技术
产业高峰论坛
华中科技大学教授陈明祥将出席2022第三代半导体器件与封装
技术
产业高峰论坛
澜起科技:整个DDR5相关芯片价值量高于DDR4,DDR5第二子代芯片正在研发
分析师郭明錤:苹果或推出一款采用氮化镓
技术
的30W电源适配器
两会|全国政协委员邓中翰:发挥新型举国体制优势 推动集成电路
技术
和产业突破性发展
中晟光电深紫外 MOCVD 设备获重大
技术
突破
中晟光电
深紫外
MOCVD
设备
技术
突破
碳化硅
技术
再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展
电装SiC功率半导体的诞生之路和未来的可能性
全国人大代表刘若鹏:中国应抓紧尖端
技术
领域人才培养
市场监管总局 工信部:到2025年,力争在高端制造、新材料、信息
技术
、生物医药等重点领域建设若干国家级质量标准实验室
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化镓成膜成功
HVPE法
6英寸
晶片
氧化镓
成膜
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备
郑州大学物理学院在自供能多色显示研究方面取得进展
中电科二所研制出山西省首片碳化硅芯片
晶盛机电:中试线产出的6英寸碳化硅衬底达到或者优于业内
技术
水平
东芝、电装等开发功率半导体节能
技术
,力争2030年前实现电力损耗减半
Gartner:汽车中最重要的五个
技术
趋势
Wolfspeed联合创始人兼首席
技术
官John Palmour博士入选美国国家工程院院士
2022第三代半导体器件与封装
技术
产业高峰论坛将7月21-22日在苏州召开
第三代半导体
器件
封装技术
功率半导体
封装材料
设备
工艺
财政部:2021年全国科学
技术
支出9700亿元,有力支持集成电路等产业发展
Wolfspeed联合创始人兼首席
技术
官John Palmour博士入选美国国家工程院院士
西电周弘教授:超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
北大物理学院高鹏课题组揭示氮化物异质结界面声子输运机制
基于SiC逆变器的电动汽车永磁同步电机控制系统研究
高速绿光Micro LED
技术
获新突破 传输速度达5Gbps
北京丰台区:十四五时期聚焦前沿
技术
和器件研发,支持新型光器件产业化
SK海力士开发出下一代智能内存芯片
技术
PIM
市场是
技术
检验的最好“试金石”,兆驰半导体以
技术
创新催生发展新动能
第
35
页/共
62
页
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