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中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
简述SiC MOSFET短路保护时间
 评论 ⋅  2022-11-28 14:29
全球首次！全球首次实现室温下连续波深紫外激光输出
 评论 ⋅  2022-11-25 21:10
关于2022化合物半导体器件与封装技术论坛、Mini LED芯片及封测解决方案论坛延期举办的通知
 评论 ⋅  2022-11-25 16:09
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-25 14:00
简述光电储能系统如何帮助电动车实现快充
 评论 ⋅  2022-11-25 10:14
简述国内半导体激光器产业该如何发展
 评论 ⋅  2022-11-25 10:00
山东华光获批建设山东省半导体激光技术创新中心
 评论 ⋅  2022-11-25 09:57
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
 评论 ⋅  2022-11-22 17:40
托托科技董事长吴阳博士将受邀出席2022化合物半导体器件与封装技术论坛并作报告
 评论 ⋅  2022-11-22 16:10
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
 评论 ⋅  2022-11-22 14:40
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-21 15:30
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
安徽省半导体产业共性技术研究中心成功获批
 评论 ⋅  2022-11-21 09:17
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-18 16:38
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
 评论 ⋅  2022-11-18 14:38
厦门大学&西北工业大学Adv. Sci.: 19.6%效率！高效稳定1D/3D钙钛矿光伏组件
 评论 ⋅  2022-11-18 13:43
2022化合物半导体器件与封装技术论坛即将于深圳举行
 评论 ⋅  2022-11-18 09:46
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
技术转化项目发布：英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
 评论 ⋅  2022-11-17 14:43
晶圆切割常见缺陷问题分析
 评论 ⋅  2022-11-17 14:42
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓外延片
 评论 ⋅  2022-11-17 14:13
简述提高GaN效率的新掺杂技术
 评论 ⋅  2022-11-16 10:25
日本东京大学开发出新一代半导体加工技术 封装基板布线用孔降至6微米以下
 评论 ⋅  2022-11-16 09:26
MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效
 评论 ⋅  2022-11-15 14:21
基于SiC的电动汽车用纯电驱动单元研究
 评论 ⋅  2022-11-15 10:29
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