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沙特KAUST李晓航团队：STO新型制备工艺实现2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED
 评论 ⋅  2025-06-17 16:23
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
我国科研人员“以柔克刚”填补微型LED晶圆无损测试技术空白
 评论 ⋅  2025-06-16 08:40
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在功率器件顶级会议ISPSD发表
 评论 ⋅  2025-06-16 08:01
新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
集成电路学院功率集成技术实验室第9次斩获IEEE ISPSD 发表论文数全球第一
 评论 ⋅  2025-06-12 18:56
北京：鼓励企业积极应用虚拟现实、人工智能、元宇宙等新技术
 评论 ⋅  2025-06-10 08:54
采用碳化硅革新电力电子技术，开拓可持续解决方案
 评论 ⋅  2025-06-09 15:06
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
中国科大研制出一种全方向表面等离子体波照明器件
 评论 ⋅  2025-06-06 07:54
从8英寸量产到12英寸突破！合盛硅业全链条攻克SiC核心技术再攀高峰！
 评论 ⋅  2025-06-03 09:53
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
TMC2025 国际汽车动力系统技术年会终版日程发布
 评论 ⋅  2025-05-29 14:57
全国首个TGV技术产业联盟成立
 评论 ⋅  2025-05-29 14:04
大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在氮化镓紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-27 09:33
科研成果| 高整流、超低漏p-Si/n-AlN异质结PN二极管
 评论 ⋅  2025-05-23 13:37
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
迈为技术珠海半导体装备产业园这一项目正式开工
 评论 ⋅  2025-05-22 14:10
效率损耗双领跑！大族半导体SiC晶锭激光剥片技术单片15min单耗470μm！
 评论 ⋅  2025-05-20 15:33
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学陈静：智能TCAD技术—AI赋能微纳电子器件的仿真、建模与设计
 评论 ⋅  2025-05-20 09:35
1250mW、BLG 展示创世界纪录的单模 GaN 激光器
 评论 ⋅  2025-05-19 17:16
2025车用功率半导体应用技术培训会在广州南沙成功举办
 评论 ⋅  2025-05-19 10:14
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET关键技术新进展
 评论 ⋅  2025-05-19 10:06
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
友达光电执行长暨总经理柯富仁：Micro LED显示技术将成主宰AI应用终极武器
 评论 ⋅  2025-05-15 07:50
CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬：功率半导体集成技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:16
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