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芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平
 评论 ⋅  2022-08-26 18:42
广汽埃安超高性能SiC电驱成功下线，功率密度国内领先
 评论 ⋅  2022-07-26 19:21
北京交通大学赵谡玲课题组：实现可覆盖紫外-可见-近红外范围的高性能宽带探测器
 评论 ⋅  2022-07-26 12:12
奥趋光电发布高性能、耐超高温AlN单晶衬底基AlScN压电材料新产品
 评论 ⋅  2022-07-11 08:17
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
中科院苏州纳米所赵志刚团队Analytical Chemistry：量子点尺寸调控实现半导体SERS基底性能提升和无机小分子检测
 评论 ⋅  2022-05-12 16:25
高性能、更合规 智能传感器平台PerSe以领先技术赋能消费类智能设备产业发展
 评论 ⋅  2022-04-29 10:17
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
中科院物理所陆凌团队研制出了性能指标具佳的拓扑腔面发射激光器
 评论 ⋅  2022-04-02 11:26
金沙江半导体与西北大学物理学科高性能计算中心正式签约
 评论 ⋅  2022-04-01 10:58
郭浩中教授、刘新科研究团队在Micro-LED背光模组研究中获得新进展，均匀度性能提升32%
 评论 ⋅  2022-03-28 11:29
高性能计算芯片领导者思朗科技获1亿美金C轮融资
 评论 ⋅  2022-02-15 10:22
聚灿光电与中科院半导体所开发高性能高光功率氮化物
 评论 ⋅  2021-12-24 18:41
中科院苏州纳米研究所司志伟：助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
 评论 ⋅  2021-12-23 16:38
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能
 评论 ⋅  2021-10-19 10:01
奎芯项目落户上海闵行 聚焦高性能计算、人工智能领域
 评论 ⋅  2021-09-27 15:48
【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江：高性能高压SiC器件设计与技术
 评论 ⋅  2021-09-17 16:12
【CASICON 2021】爱发科左超：量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:59
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵：低成本高性能氧化镓功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:32
CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化镓半导体功率电子器件
 评论 ⋅  2021-09-08 11:49
AI设计芯片比人行？ 能让芯片性能提升1000倍在未来10年
 评论 ⋅  2021-08-24 10:12
西安光机所等研制出新一代高性能微通道板
 评论 ⋅  2021-08-20 16:09
南京大学电子科学与工程学院研究团队与华为合作 成功研制智能表面新架构助力5G网络性能提升
南京大学电子科学工程学院华为研制智能表面新架构5G网络性能提升
 评论 ⋅  2021-08-17 09:57
南芯半导体完成近3亿元D轮融资
高性能国产电池管理芯片南芯半导体D轮融资
 评论 ⋅  2021-08-16 10:02
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