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美国Bolb公司董事长张剑平博士：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:48
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
一径科技高性能车规级长距MEMS激光雷达ML-Xs首次亮相海外市场
 评论 ⋅  2023-01-10 10:28
基于新一代半导体的新能源支援保障装备性能试验与应用验证竞争性谈判公告（第二次）
 评论 ⋅  2023-01-04 17:41
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
吉利无锡高性能电驱项目投产
 评论 ⋅  2022-12-27 17:15
哪吒汽车发布800V SiC高性能电驱系统——浩智电驱
 评论 ⋅  2022-11-23 22:51
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
中科院长春光机所高性能光芯片项目签约无锡惠山高新区
 评论 ⋅  2022-11-23 09:47
中科院长春光机所高性能光芯片项目落户惠山高新区
 评论 ⋅  2022-11-22 17:35
基本半导体与罗姆签订战略合作协议 就碳化硅功率器件的创新升级、性能提升等方面展开深度合作
 评论 ⋅  2022-11-15 11:10
千里新材高性能氮化硅制品产业化及总部基地项目开工
 评论 ⋅  2022-10-20 10:55
金刚石物理性能调控研究进展
 评论 ⋅  2022-10-19 14:03
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平
 评论 ⋅  2022-08-26 18:42
广汽埃安超高性能SiC电驱成功下线，功率密度国内领先
 评论 ⋅  2022-07-26 19:21
北京交通大学赵谡玲课题组：实现可覆盖紫外-可见-近红外范围的高性能宽带探测器
 评论 ⋅  2022-07-26 12:12
奥趋光电发布高性能、耐超高温AlN单晶衬底基AlScN压电材料新产品
 评论 ⋅  2022-07-11 08:17
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
中科院苏州纳米所赵志刚团队Analytical Chemistry：量子点尺寸调控实现半导体SERS基底性能提升和无机小分子检测
 评论 ⋅  2022-05-12 16:25
高性能、更合规 智能传感器平台PerSe以领先技术赋能消费类智能设备产业发展
 评论 ⋅  2022-04-29 10:17
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
中科院物理所陆凌团队研制出了性能指标具佳的拓扑腔面发射激光器
 评论 ⋅  2022-04-02 11:26
金沙江半导体与西北大学物理学科高性能计算中心正式签约
 评论 ⋅  2022-04-01 10:58
郭浩中教授、刘新科研究团队在Micro-LED背光模组研究中获得新进展，均匀度性能提升32%
 评论 ⋅  2022-03-28 11:29
高性能计算芯片领导者思朗科技获1亿美金C轮融资
 评论 ⋅  2022-02-15 10:22
聚灿光电与中科院半导体所开发高性能高光功率氮化物
 评论 ⋅  2021-12-24 18:41
中科院苏州纳米研究所司志伟：助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
 评论 ⋅  2021-12-23 16:38
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
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