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广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利,提高了老化效率,加速了双极退化
芯联集成:全球领先的新一代IGBT器件会在24年下半年量产,大幅提高单位晶圆片的芯片产出数量
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